[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，包括设置于衬底基板上位于每个亚像素中的狭缝电极和面状电极，且所述面状电极位于所述狭缝电极靠近所述衬底基板的一侧，所述狭缝电极包括多个条状子电极，其特征在于，在所述亚像素中，所述狭缝电极和所述面状电极之间设置有绝缘层，所述绝缘层背离所述衬底基板的表面在至少一组相邻条状子电极之间设置有凹槽；

所述绝缘层包括依次设置的栅极绝缘层和保护层，所述栅极绝缘层位于所述保护层靠近所述衬底基板的一侧，所述栅极绝缘层为面状结构，其中，

所述保护层上具有镂空部，所述镂空部、以及所述栅极绝缘层中对应于所述镂空部的部分构成所述凹槽；或者，

所述凹槽位于所述保护层中；且所述凹槽的槽深大于所述凹槽的槽底到所述绝缘层背离所述衬底基板一侧的表面的距离。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘层背离所述衬底基板的表面在每相邻两个条状子电极之间均设置有凹槽。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘层背离所述衬底基板的表面在每相邻两个条状子电极之间限定的区域内整体凹陷以形成所述凹槽。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括位于所述衬底基板与所述面状电极之间的介质层，所述介质层包括对应所述凹槽位置的垫高部。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述保护层包括依次设置于所述栅极绝缘层上的第一保护层和第二保护层，所述第二保护层上具有镂空部，所述镂空部、以及所述第一保护层中对应于所述镂空部的部分构成所述凹槽。

6.根据权利要求1-5任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述凹槽的槽深为0.4μm～0.7μm。

7.根据权利要求1或5任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述凹槽的槽深为0.4μm～0.7μm，且所述凹槽的槽底到所述栅极绝缘层背离所述衬底基板一侧的表面的距离为0.15μm～0.25μm。

8.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-7任一项所述的阵列基板。

9.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

至少在衬底基板上的亚像素待形成区域形成面状电极；

在所述面状电极上形成绝缘层，并通过构图工艺在所述绝缘层的表面对应待形成的狭缝电极中至少一组相邻条状子电极之间的位置形成凹槽；

在表面具有凹槽的绝缘层上形成所述狭缝电极；

所述在所述面状电极上形成绝缘层，并通过构图工艺在所述绝缘层的表面对应待形成的狭缝电极中至少一组相邻条状子电极之间的位置形成凹槽具体包括：

在所述面状电极上形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成保护层，并通过构图工艺在所述保护层的表面对应待形成的狭缝电极中至少一组相邻条状子电极之间的位置形成凹槽；所述凹槽的槽深大于所述凹槽的槽底到所述绝缘层背离所述衬底基板一侧的表面的距离；或者，

在所述栅极绝缘层上形成保护层，并通过构图工艺在所述保护层的表面对应待形成的狭缝电极中至少一组相邻条状子电极之间的位置形成镂空部，所述镂空部、以及所述栅极绝缘层中对应于所述镂空部的部分构成凹槽。

10.根据权利要求9所述制作方法，其特征在于，所述在所述面状电极上形成绝缘层，并通过构图工艺在所述绝缘层的表面对应待形成的狭缝电极中至少一组相邻条状子电极之间的位置形成凹槽具体包括：

在所述面状电极上形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成第一保护层；

在所述第一保护层上形成第二保护层，并通过构图工艺在所述第二保护层的表面对应待形成的狭缝电极中至少一组相邻条状子电极之间的位置形成镂空部，所述镂空部、以及所述第一保护层中对应于所述镂空部的部分构成凹槽。

11.根据权利要求9所述制作方法，其特征在于，所述在所述面状电极上形成绝缘层，并通过构图工艺在所述绝缘层的表面对应待形成的狭缝电极中至少一组相邻条状子电极之间的位置形成凹槽具体包括：

所述在所述面状电极上形成绝缘层，并通过构图工艺在所述绝缘层的表面对应待形成的狭缝电极中每相邻两个条状子电极之间的位置均形成凹槽。