[发明专利]半导体封装在审

专利信息
申请号: 201710605899.3 申请日: 2017-07-24
公开(公告)号: CN108807298A 公开(公告)日: 2018-11-13
发明(设计)人: 林俊成;郑礼辉;蔡柏豪;潘志坚 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L25/07;H01L23/528;H01L23/522
代理公司: 南京正联知识产权代理有限公司 32243 代理人: 顾伯兴
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 半导体封装 重布线层 聚合物 管芯 层间通孔 覆盖膜 连接件 侧边 挡坝 模制化合物 覆盖模制 印刷模块 包封 印刷 制造
【说明书】:

发明实施例提供一种半导体封装、一种半导体封装的制造方法及其所使用的印刷模块。所述半导体封装具有重布线层、位于重布线层之上的至少一个管芯、位于重布线层上及管芯的侧边的层间通孔以及包封设置在重布线层上的管芯及层间通孔的模制化合物。半导体封装具有连接到层间通孔的连接件、覆盖模制化合物及管芯的聚合物覆盖膜以及设置在连接件的侧边的聚合物挡坝结构。聚合物覆盖膜及聚合物挡坝结构是通过印刷形成的。

技术领域

本发明实施例涉及一种半导体封装、一种半导体封装的制造方法及其所使用的印刷模块。

背景技术

叠层封装晶片级封装技术(Package-on-package wafer level packagingtechnology)有潜力满足对未来封装的尺寸减小、高性能互连、及更好热管理的迫切要求。

发明内容

本发明实施例提供一种半导体封装,包括:至少一个管芯;模制化合物,其包封所述至少一个管芯;层间通孔(through interlayer via;TIV),其穿透所述模制化合物并排列设置在所述至少一个管芯旁边,其中至少一个所述层间通孔中的至少一个与所述至少一个管芯电连接;聚合物覆盖膜,其设置在所述模制化合物上及所述至少一个管芯上;连接件,其设置在所述层间通孔上;以及聚合物挡坝结构,其设置在所述模制化合物上并位于所述连接件旁边及所述连接件之间,其中所述聚合物挡坝结构的顶部高于所述连接件的顶部,且所述聚合物覆盖膜是由与所述聚合物挡坝结构的材料不同的材料制成。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明,会最佳地理解本发明的各个态样。应注意,根据本领域中的标准惯例,各种特征并非按比例绘制。事实上,为论述清晰起见,可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1A至图1L’是根据本发明某些示例性实施例的半导体封装的制造方法中的各种阶段的示意性剖视图。

图1M是根据某些示例性实施例的半导体封装的示意性部分放大俯视图。

图2A至图2D是绘示处于根据本发明某些示例性实施例的制造方法的各种阶段的半导体封装的示意性剖视图。

图3A至图3D是根据本发明某些示例性实施例的半导体封装的制造方法中的各种阶段的示意性剖视图。

图4A是根据本发明某些示例性实施例的加工系统的布局图。

图4B及图4C是绘示用于制造根据本发明某些示例性实施例的半导体封装的加工系统的加工腔室的示意性剖视图。

具体实施方式

以下公开内容提供用于实行所提供标的的不同特征的许多不同的实施例或实例。以下阐述部件及设置的具体实例以简化本发明。当然,这些仅为实例且不旨在限制。举例来说,以下说明中将第一特征形成在第二特征“之上”或第二特征“上”可包括其中第一特征及第二特征被形成为直接接触的实施例,且也可包括其中第一特征与第二特征之间可形成有附加特征、进而使得所述第一特征与所述第二特征可能不直接接触的实施例。另外,本公开内容可能在各种实例中重复使用参考编号及/或字母。这种重复使用是出于简洁及清晰的目的,而不是自身表示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。

此外,为易于说明,本文中可能使用例如“之下(beneath)”、“下面(below)”、“下部的(lower)”、“上方(above)”、“上部的(upper)”等空间相对性用语来阐述图中所示的一个元件或特征与另一(其他)元件或特征的关系。所述空间相对性用语旨在除图中所绘示的取向外还囊括装置在使用或操作中的不同取向。设备可具有其他取向(旋转90度或处于其他取向)且本文中所用的空间相对性描述语可同样相应地进行解释。

另外,为易于说明,本文中可能使用例如“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等用语来阐述图中所示的一个或多个相似的或不同的组件或特征,且所述用语可根据呈现次序或说明的上下文来互换使用。

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