[发明专利]图形化生长量子点的方法在审
| 申请号： | 201710560071.0 | 申请日： | 2017-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN107424914A | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 石震武;杨琳韵;霍大云;邓长威;陈晨;彭长四 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C09K11/75;C09K11/66;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙)32257 | 代理人： | 李广 |
| 地址： | 215000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 图形 化生 量子 方法 | ||
1.一种图形化生长量子点的方法，其特征在于：包括以下步骤：
a.应变基底的生长；
b.原位引入激励源，利用激励源产生周期性的温度场去诱导所述应变基底的应力进行图形化调制释放，从而原位实现具有纳米周期性分布的应力场的应力结构；
c.基于所述纳米周期性分布的应力场的耦合诱导，在所述应力结构上生长相应的周期性量子点。
2.根据权利要求1所述的图形化生长量子点的方法，其特征在于：所述的应变基底包括从下至上依次生长的衬底、中间应变结构、盖层，所述的中间应变结构至少包括应变单层或应变基底超晶格薄层结构。
3.根据权利要求2所述的图形化生长量子点的方法，其特征在于：所述的衬底与中间应变结构之间生长有缓冲层。
4.根据权利要求2所述的图形化生长量子点的方法，其特征在于：所述的衬底为GaAs，所述的应变单层为InGaAs，所述的超晶格薄层结构为InGaAs/GaAs超晶格，所述的盖层为GaAs。
5.根据权利要求3所述的图形化生长量子点的方法，其特征在于：所述的缓冲层为GaAs。
6.根据权利要求4所述的图形化生长量子点的方法，其特征在于：所述的InGaAs和GaAs的生长温度为445℃～500℃。
7.根据权利要求4所述的图形化生长量子点的方法，其特征在于：所述的InGaAs的生长速率为390～400nm/h，GaAs的生长速率为260～270nm/h。
8.根据权利要求1所述的图形化生长量子点的方法，其特征在于：所述的步骤a中，As压为6E-6Torr～7E-6Torr。
9.根据权利要求1所述的图形化生长量子点的方法，其特征在于：所述的步骤b中，激励源为激光干涉、电子束诱导或离子束诱导。
10.根据权利要求1所述的图形化生长量子点的方法，其特征在于：所述的步骤c中，在衬底温度为445℃～500℃时，在所述应力结构上InAs，生长速率为0.02～0.03ML/s。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
