[发明专利]半导体存储器封装、存储器件和半导体存储器系统有效

专利信息
申请号: 201710554739.0 申请日: 2017-07-07
公开(公告)号: CN107591174B 公开(公告)日: 2021-08-31
发明(设计)人: 吴致成;金锡 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C7/10 分类号: G11C7/10;H01L25/065;H01L23/48
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 倪斌
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 存储器 封装 存储 器件 系统
【权利要求书】:

1.一种电子设备,包括:

基底层,与存储器控制器通信;

至少一个存储器层,堆叠在基底层上;以及

至少一个硅通孔,穿过所述至少一个存储器层,

其中,用于与存储器控制器交换信号的至少一个信号凸块设置在基底层的与存储器控制器相邻的第一区域中,以及其中第一区域对应于基底层的边缘区域,以及

至少一个电源凸块,用于从电子设备的外部接收电力,所述电力用于对信号执行信号处理操作,其中电源凸块设置在基底层的第二区域中并接触所述至少一个硅通孔,其中第二区域对应于基底层的除边缘区域以外的区域,

其中,所有信号凸块仅设置在基底层的与存储器控制器相邻的第一区域中,并且所有电源凸块仅设置在基底层的与信号凸块相比更远离存储器控制器的第二区域中;

其中,第一区域包括第一输入/输出电路,所述第一输入/输出电路包括连接到信号凸块的第一信号焊盘,以及

第二区域包括第二输入/输出电路,所述第二输入/输出电路包括连接到电源凸块的电源焊盘;

其中,第一输入/输出电路还包括第一导电线路,所述第一导电线路将第二输入/输出电路和第一信号焊盘互连并在第二输入/输出电路和第一信号焊盘之间发送信号。

2.根据权利要求1所述的电子设备,其中,所述信号处理操作包括用于补偿信号的信号完整性的缓冲操作。

3.根据权利要求1所述的电子设备,其中,所述第一导电线路经由重新分配层操作而设置。

4.根据权利要求3所述的电子设备,其中,第一区域还包括如下电路,所述电路执行与第一输入/输出电路的功能不同的功能,并且设置在第一区域的除被第一输入/输出电路占用的部分以外的其余部分中。

5.根据权利要求1所述的电子设备,其中,第二输入/输出电路包括缓冲电路,所述缓冲电路连接到第一输入/输出电路并且执行信号处理操作。

6.根据权利要求5所述的电子设备,其中,第二输入/输出电路包括第二导电线路,所述第二导电线路将电源焊盘和缓冲电路互连并且将电力从电源焊盘发送到缓冲电路。

7.根据权利要求1所述的电子设备,其中,用于与外部测试器交换测试信号的至少一个测试信号凸块形成在基底层的与外部测试器相邻的第三区域中,其中第三区域对应于基底层的另一边缘区域,使得第二区域设置在第一区域和第三区域之间。

8.一种电子设备,包括:

基底层;

至少一个存储器层,堆叠在基底层上;以及

至少一个硅通孔TSV,穿过所述至少一个存储器层,

其中:

基底层包括与外部存储器控制器相邻的物理区域和设置有所述至少一个TSV的TSV区域,

所述物理区域对应于基底层的边缘区域,TSV区域对应于基底层的除边缘区域以外的区域,

所述物理区域包括第一输入/输出电路,所述第一输入/输出电路将从外部存储器控制器接收的信号发送到TSV区域,以及

TSV区域包括第二输入/输出电路,所述第二输入/输出电路对接收的信号执行信号处理操作并将处理后的信号发送到所述至少一个存储器层,

其中,用于从外部存储器控制器接收信号的一个或多个信号TSV/凸块仅设置在所述物理区域中而不是TSV区域中,并且用于从电子设备的外部接收用于执行信号处理操作的电力的一个或多个电源TSV/凸块仅设置在TSV区域中而不是所述物理区域中。

9.根据权利要求8所述的电子设备,其中,第二输入/输出电路被配置为对从所述至少一个存储器层接收的信号执行信号处理操作,并且将处理后的信号发送到所述物理区域中包括的第一输入/输出电路,以及

第一输入/输出电路被配置为将从第二输入/输出电路接收的处理后的信号发送到外部存储器控制器。

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