[发明专利]一种快恢复高压管有效
申请号: | 201710544530.6 | 申请日: | 2017-07-06 |
公开(公告)号: | CN107195592B | 公开(公告)日: | 2019-10-01 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 如皋市大昌电子有限公司 |
主分类号: | H01L23/29 | 分类号: | H01L23/29;H01L23/367;H01L23/49;H01L23/492 |
代理公司: | 北京卓特专利代理事务所(普通合伙) 11572 | 代理人: | 段宇 |
地址: | 226578 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 恢复 高压 | ||
本发明公开了一种快恢复高压管,包括玻璃封装外壳、快恢复高压二极管芯片、连接铜片、固定帽、传热件、散热片、封装硅胶、焊接件、凹槽、备用引脚、主引脚,所述玻璃封装外壳内置快恢复高压二极管芯片,所述快恢复高压二极管左右两端分别与连接铜片焊接,所述连接铜片设于固定帽内,与现有技术相比,本发明的有益效果是该新型一种快恢复高压管,设计科学合理,本快恢复高压管可以有效的散失内部热量,而内部的封装硅胶温度升高膨胀系数小,热膨胀也不会造成二极管外部的破裂,连接铜片与芯片之间设有固定帽,不易松动,且本快恢复高压管设有备用引脚,防止主引脚损坏,造成整个快恢复高压管无法使用。
技术领域
本发明涉及一种高压二极管,尤其涉及一种快恢复高压管。
背景技术
快速高压二极管,只有在高压下才导通的一种硅晶体二极管,一般与大电容串联使用,通电时,电容缓慢充电,当达到高压触发二极管的触发电压时,瞬间导通,然后在启动电路上的某个开关后,电容放电之后,电压值不足以使其导通,则又恢复为高阻抗状态,待电容充电达到设定值时,循环触发。
现有的快速高压二极管大都由芯片、铜片和引脚组成,而芯片、铜片与引脚之间的连接并不牢固,极易出现松动,且芯片承担电压过高时,容易发热,温度的升高,会造成内部的膨胀,外部的开裂,且二极管的引脚,经常出现折断的现象,造成整个二极管无法使用。
发明内容
本发明的目的在于提供一种快恢复高压管,以解决上述背景技术中提出的问题。
本发明的目的是通过下述技术方案予以实现:一种快恢复高压管,包括玻璃封装外壳、快恢复高压二极管芯片、连接铜片、固定帽、传热件、散热片、封装硅胶、焊接件、凹槽、备用引脚、主引脚,所述玻璃封装外壳内置快恢复高压二极管芯片,所述快恢复高压二极管左右两端分别与连接铜片焊接,所述连接铜片设于固定帽内,所述固定帽底部与快恢复高压二极管芯片焊接,所述玻璃封装外壳内壁上下两端均安装有传热件,所述传热件与散热片一体连接,所述散热片设于玻璃封装外壳外部,所述连接铜片远离快速恢复高压二极管芯片一端与焊接件一端连接,所述焊接件另一端分别与主引脚和两备用引脚焊接,所述玻璃封装外壳左右两侧均开有两凹槽,所述备用引脚远离焊接件的一端设于凹槽内,且凹槽开口处与密封锡纸胶粘连接。
进一步的,所述的主引脚贯穿玻璃封装外壳壳壁。
进一步的,所述的快恢复高压二极管芯片与玻璃封装外壳之间填充有封装硅胶。
进一步的,所述的传热件与散热片均由铝合金材料制成。
进一步的,所述的连接铜片形状具体为圆形。
与现有技术相比,本发明的有益效果是该新型一种快恢复高压管,设计科学合理,本快恢复高压管可以有效的散失内部热量,而内部的封装硅胶温度升高膨胀系数小,热膨胀也不会造成二极管外部的破裂,连接铜片与芯片之间设有固定帽,不易松动,且本快恢复高压管设有备用引脚,防止主引脚损坏,造成整个快恢复高压管无法使用。
附图说明
图1是本发明整体结构示意图;
图中:1、玻璃封装外壳,2、快恢复高压二极管芯片,3、连接铜片,4、固定帽,5、传热件,6、散热片,7、封装硅胶,8、焊接件,9、凹槽,10、备用引脚,11、主引脚。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例,基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
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