[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示面板有效
申请号: | 201710536548.1 | 申请日: | 2017-07-03 |
公开(公告)号: | CN107123656B | 公开(公告)日: | 2019-12-03 |
发明(设计)人: | 王志东;邱云;曲连杰 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 11274 北京中博世达专利商标代理有限公司 | 代理人: | 申健<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 显示 面板 | ||
本发明的实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板,涉及显示技术领域,可降低显示面板的成本。该阵列基板包括固定于衬底上的裸芯片,裸芯片包括引脚;缓冲层和第一金属层;第一金属层包括与裸芯片的引脚一一对应的外引脚,外引脚与其对应的裸芯片的引脚通过缓冲层上的过孔电连接;其中,外引脚的尺寸大于裸芯片的引脚的尺寸,且外引脚之间相互绝缘;薄膜晶体管、与薄膜晶体管的栅极同层的第一信号线和第一连接线、与薄膜晶体管的源极、漏极同层的第二信号线和第二连接线;第一连接线的一端与第一信号线电连接,另一端与外引脚电连接;第二连接线的一端与第二信号线电连接,另一端与外引脚电连接;其中,第一连接线与第二连接线相互绝缘。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。
背景技术
薄膜场效应晶体管(Thin Film Transistor。简称TFT)显示技术已经成为主流显示技术,且该技术已经日趋成熟,因此如何降低TFT显示器件的成本,以提升竞争力,具有重要意义。
目前,TFT显示面板的阵列基板上,除在显示区形成包括TFT、透明电极等显示结构、在非显示区形成金属布线之外,在非显示区的芯片布置区,还需通过绑定工艺,绑定芯片。其中,绑定到阵列基板上的芯片都是已经封装好的芯片。
发明内容
本发明的实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板,可降低显示面板的成本。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
第一方面,提供一种阵列基板,包括:固定于衬底上的裸芯片,所述裸芯片包括引脚;依次设置于所述裸芯片远离所述衬底一侧的缓冲层和第一金属层;所述第一金属层包括与所述裸芯片的引脚一一对应的外引脚,所述外引脚与其对应的所述裸芯片的引脚通过所述缓冲层上的过孔电连接;其中,所述外引脚的尺寸大于所述裸芯片的引脚的尺寸,且所述外引脚之间相互绝缘;设置于所述第一金属层远离所述衬底一侧的薄膜晶体管、与所述薄膜晶体管的栅极同层的第一信号线和第一连接线、与所述薄膜晶体管的源极、漏极同层的第二信号线和第二连接线;所述第一连接线的一端与所述第一信号线电连接,另一端与所述外引脚电连接;所述第二连接线的一端与所述第二信号线电连接,另一端与所述外引脚电连接;其中,所述第一连接线与所述第二连接线相互绝缘;设置于所述薄膜晶体管远离所述衬底一侧且覆盖所述衬底的第一钝化层。
优选的,所述衬底包括凹槽;所述裸芯片固定于所述凹槽内。
进一步优选的,一个所述凹槽内固定一个所述裸芯片,且所述凹槽的尺寸与所述裸芯片的尺寸一致。
优选的,固定于所述凹槽中的所述裸芯片的表面与所述衬底的表面平齐。
优选的,所述第一金属层还包括遮光图案;所述薄膜晶体管为多晶硅薄膜晶体管,所述遮光图案在所述衬底上的正投影覆盖所述多晶硅薄膜晶体管的有源层在所述衬底上的正投影。
基于上述,优选的,所述阵列基板还包括依次设置于所述第一钝化层远离所述衬底一侧的平坦层和第一透明电极;所述第一透明电极与所述漏极电连接。
第二方面,提供一种显示面板,包括第一方面的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的