[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

固定于衬底上的裸芯片，所述裸芯片包括引脚；

依次设置于所述裸芯片远离所述衬底一侧的缓冲层和第一金属层；所述第一金属层包括与所述裸芯片的引脚一一对应的外引脚，所述外引脚与其对应的所述裸芯片的引脚通过所述缓冲层上的过孔电连接；其中，所述外引脚的尺寸大于所述裸芯片的引脚的尺寸，且所述外引脚之间相互绝缘；

设置于所述第一金属层远离所述衬底一侧的薄膜晶体管、与所述薄膜晶体管的栅极同层的第一信号线和第一连接线、与所述薄膜晶体管的源极、漏极同层的第二信号线和第二连接线；所述第一连接线的一端与所述第一信号线电连接，另一端与所述外引脚电连接；所述第二连接线的一端与所述第二信号线电连接，另一端与所述外引脚电连接；其中，所述第一连接线与所述第二连接线相互绝缘；

设置于所述薄膜晶体管远离所述衬底一侧且覆盖所述衬底的第一钝化层。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述衬底包括凹槽；

所述裸芯片固定于所述凹槽内。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，一个所述凹槽内固定一个所述裸芯片，且所述凹槽的尺寸与所述裸芯片的尺寸一致。

4.根据权利要求2或3所述的阵列基板，其特征在于，固定于所述凹槽中的所述裸芯片的表面与所述衬底的表面平齐。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属层还包括遮光图案；

所述薄膜晶体管为多晶硅薄膜晶体管，所述遮光图案在所述衬底上的正投影覆盖所述多晶硅薄膜晶体管的有源层在所述衬底上的正投影。

6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括依次设置于所述第一钝化层远离所述衬底一侧的平坦层和第一透明电极；

所述第一透明电极与所述漏极电连接。

7.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-6任一项所述的阵列基板。

8.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

将裸芯片固定于衬底上，所述裸芯片包括引脚；

在固定有所述裸芯片的所述衬底上依次形成缓冲层和第一金属层；所述第一金属层包括与所述裸芯片的引脚一一对应的外引脚，所述外引脚与其对应的所述裸芯片的引脚通过所述缓冲层上的过孔电连接；其中，所述外引脚的尺寸大于所述裸芯片的引脚的尺寸，且所述外引脚之间相互绝缘；

在形成有所述第一金属层的所述衬底上形成薄膜晶体管、与所述薄膜晶体管的栅极同层的第一信号线和第一连接线、与所述薄膜晶体管的源极、漏极同层的第二信号线和第二连接线；所述第一连接线的一端与所述第一信号线电连接，另一端与所述外引脚电连接；所述第二连接线的一端与所述第二信号线电连接，另一端与所述外引脚电连接；其中，所述第一连接线与所述第二连接线相互绝缘；

在形成有所述薄膜晶体管的衬底上形成第一钝化层，所述第一钝化层覆盖所述衬底。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，将裸芯片固定于衬底上，包括：

在衬底上形成凹槽，并在凹槽内形成粘结层；

将所述裸芯片放入所述凹槽，并通过所述凹槽内的所述粘结层固定。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，一个所述凹槽内固定一个所述裸芯片，且所述凹槽的尺寸与所述裸芯片的尺寸一致。

11.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，固定于所述凹槽中的所述裸芯片的表面与所述衬底的表面平齐。

12.根据权利要求8-11任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第一金属层还包括遮光图案；

所述薄膜晶体管为多晶硅薄膜晶体管，所述遮光图案在所述衬底上的正投影覆盖所述多晶硅薄膜晶体管的有源层在所述衬底上的正投影。