[发明专利]TFT基板的制作方法及TFT基板有效
申请号: | 201710459328.3 | 申请日: | 2017-06-16 |
公开(公告)号: | CN107275288B | 公开(公告)日: | 2019-12-24 |
发明(设计)人: | 柳铭岗;林永伦 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 44265 深圳市德力知识产权代理事务所 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | tft 制作方法 基板 | ||
本发明提供一种TFT基板的制作方法及TFT基板。该TFT基板的制作方法在制作色阻层时,使多个色阻单元暴露出TFT层中的栅极线及TFT,且在相邻的第一色阻单元之间设置第一色阻块,在相邻的第二色阻单元之间设置尺寸小于第一色阻块的第二色阻块,在相邻两行色阻单元之间设置覆盖第一色阻块及第二色阻块并覆盖栅极线及TFT的第三色阻条,由于第一色阻块与第二色阻块尺寸的差异,使第三色阻条位于第一色阻块上的部分的高度大于位于第二色阻块上的部分的高度,从而利用一单色调光罩即可形成包括覆盖栅极线及TFT的第一遮光区、分别位于第一、第二色阻块上高度不同的主、辅助隔垫物的BPS遮光层,降低制作BPS遮光层的材料的开发难度,增强色阻层的抗剥落性。
技术领域
本发明涉及液晶显示技术领域,尤其涉及一种TFT基板的制作方法及TFT基板。
背景技术
随着显示技术的发展,液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点,而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品,成为显示装置中的主流。
通常液晶显示面板由彩膜(Color Filter,CF)基板、薄膜晶体管(Thin FilmTransistor,TFT)基板、夹于彩膜基板与薄膜晶体管基板之间的液晶(LC,Liquid Crystal)及密封胶框(Sealant)组成,其成型工艺一般包括:前段阵列(Array)制程(薄膜、黄光、蚀刻及剥膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT基板与CF基板贴合)及后段模组组装制程(驱动IC与印刷电路板压合)。其中,前段Array制程主要是形成TFT基板,以便于控制液晶分子的运动;中段Cell制程主要是在TFT基板与CF基板之间添加液晶;后段模组组装制程主要是驱动IC压合与印刷电路板的整合,进而驱动液晶分子转动,显示图像。
目前,现有技术通常将光阻隔垫物(Photo Spacer,PS)制作在CF基板上用于支撑液晶盒厚,如图1所示,现有的一种液晶显示装置,包括相对设置的TFT基板100’及CF基板200’,其中,TFT基板100’包括:第一衬底110’、设于第一衬底110’上的TFT层120’、设于TFT层120’上的平坦化层130’、设于平坦化层130’上的色阻层140’、设于色阻层140’上的像素电极(未图示)、及设于色阻层140’上的间隔的主隔垫物161’、及辅助隔垫物162’,CF基板200’包括:第二衬底210’、设于第二衬底210’上的黑色矩阵220’、及设于第二衬底210’及黑色矩阵220’上的公共电极230’,现有技术一般通过一道灰阶光罩(Gray Tone Mask,GTM)或者一道半色调光罩(Half Tone Mask,HTM)同时制作出具有不同高度的主隔垫物161’和辅助隔垫物162’,一共需要两道单独的制程完成黑色矩阵220’和主隔垫物161’、及辅助隔垫物162’的制作。
现有的另一种技术利用黑色光阻隔垫物(Black Photo Spacer,BPS)材料通过一道制程将黑色矩阵和主、辅助隔垫物同时制作在TFT基板上,然而黑色矩阵、主隔垫物、辅助隔垫物的高度均不相同,一般需要采用具有多色调的光罩才能形成黑色矩阵、主隔垫物、及辅助隔垫物之间的段差,然而,多色调光罩制作工艺复杂、成本昂贵,且采用多色调光罩制作形成的黑色矩阵和主、辅助隔垫物的工艺较难调节(需要兼顾三个高度),BPS材料的开发难度增加。
发明内容
本发明的目的在于提供一种TFT基板的制作方法,采用一单色调光罩即可制得包括黑色矩阵、主隔垫物、辅助隔垫物的BPS遮光层,降低制作BPS遮光层的材料的开发难度,增强色阻层的抗剥落性。
本发明的另一目的在于提供一种TFT基板,具有包括黑色矩阵、主隔垫物、辅助隔垫物的BPS遮光层,色阻层抗剥落性强。
为实现上述目的,本发明首先提供一种TFT基板的制作方法,包括如下步骤:
步骤S1、提供衬底基板,在所述衬底基板上形成TFT层;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造