[发明专利]TFT基板的制作方法及TFT基板有效

专利信息
申请号: 201710459328.3 申请日: 2017-06-16
公开(公告)号: CN107275288B 公开(公告)日: 2019-12-24
发明(设计)人: 柳铭岗;林永伦 申请(专利权)人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L21/84 分类号: H01L21/84;H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368
代理公司: 44265 深圳市德力知识产权代理事务所 代理人: 林才桂
地址: 518132 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: tft 制作方法 基板
【权利要求书】:

1.一种TFT基板的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:

步骤S1、提供衬底基板(100),在所述衬底基板(100)上形成TFT层(200);

所述TFT层(200)包括平行间隔排列的多行栅极线(220)、平行间隔排列的多列数据线(230)、及阵列排布的多个TFT(210);

步骤S2、在所述TFT层(200)上形成平坦化层(300);

步骤S3、在所述平坦化层(300)上形成色阻层(400);

所述色阻层(400)包括:交替排列的多列第一色阻单元(410)、多列第二色阻单元(420)及多列第三色阻单元(430)、位于相邻的第一色阻单元(410)之间的第一色阻块(411)、位于相邻的第二色阻单元(420)之间的第二色阻块(421)、以及于第一色阻块(411)及第二色阻块(421)上覆盖相邻两行色阻单元之间区域的第三色阻条(431),多个色阻单元暴露出栅极线(220)及TFT(210)所在区域,第一色阻块(411)的尺寸大于第二色阻块(421)的尺寸;

步骤S4、在色阻层(400)上形成钝化层(500),在钝化层(500)上形成像素电极(600);

步骤S5、在钝化层(500)及像素电极(600)上涂布BPS遮光材料,采用一道单色调光罩对所述BPS遮光材料进行图案化形成BPS遮光层(700);

所述BPS遮光层(700)包括:覆盖栅极线(220)及TFT(210)所在区域的第一遮光区(710)、对应位于第一色阻块(411)上方的主隔垫物(720)、及对应位于第二色阻块(421)上方的辅助隔垫物(730);

所述第一色阻单元(410)及第一色阻块(411)的材料为红色色阻材料,所述第二色阻单元(420)及第二色阻块(421)的材料为绿色色阻材料,所述第三色阻单元(430)及第三色阻条(431)的材料为蓝色色阻材料;

所述第一色阻块(411)及所述第二色阻块(421)均位于栅极线(220)及TFT(210)所在区域上方,所述第三色阻条(431)覆盖栅极线(220)及TFT(210)所在区域。

2.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法,其特征在于,所述步骤S3具体为:首先,在平坦化层(300)上涂布红色色阻材料并对其进行图案化,形成多个第一色阻单元(410)及第一色阻块(411),接着,在平坦化层(300)上涂布绿色色阻材料并对其进行图案化,形成多个第二色阻单元(420)及第二色阻块(421),最后,在平坦化层(300)、第一色阻块(411)、及第二色阻块(421)上涂布蓝色色阻材料并对其进行图案化,形成多个第三色阻单元(430)及第三色阻条(431),从而形成色阻层(400)。

3.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法,其特征在于,所述步骤S4中,在形成像素电极(600)之前还对应TFT(210)形成贯穿钝化层(500)、色阻层(400)及平坦化层(300)的过孔(510),所述像素电极(600)经过孔(510)与TFT(210)接触。

4.如权利要求3所述的TFT基板的制作方法,其特征在于,所述TFT(210)包括:设于衬底基板(100)上的栅极(211)、覆盖栅极(211)的栅极绝缘层(212)、设于栅极(211)上方的栅极绝缘层(212)上的有源层(213)、及分别与有源层(213)两端接触的源极(214)及漏极(215),所述过孔(510)暴露所述漏极(215),所述像素电极(600)经过孔(510)与漏极(215)接触。

5.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法,其特征在于,所述BPS遮光层(700)还包括覆盖数据线(230)的第二遮光区(740)。

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