[发明专利]电子装置

权利要求书

1.一种电子装置，具备：

贯通基板，具有尺寸不同的多个贯通导孔；

第1半导体装置，配置于所述贯通基板的背面，并且包括功率晶体管；以及

第2半导体装置，配置于所述贯通基板的与所述背面相反一侧的表面，并且包括控制所述功率晶体管的控制电路，

所述电子装置的特征在于，

所述多个贯通导孔具有：

第1尺寸的第1贯通导孔；

第2贯通导孔，比所述第1尺寸大；以及

第3贯通导孔，在内部埋入有导电性部件，

所述第1半导体装置具有：

控制用端子；

第1端子；以及

第2端子，

所述贯通基板具有：

所述背面内的第1区域；以及

所述表面内的第2区域，在俯视视角下与所述第1区域重叠，

所述第1半导体装置配置于所述第1区域，

所述第2半导体装置配置于所述第2区域，

所述第1半导体装置的所述控制用端子经由所述第1贯通导孔与所述第2半导体装置电连接，

所述第1半导体装置的所述第1端子与所述第2贯通导孔电连接，

所述第3贯通导孔设置于在俯视视角下与所述第1区域重叠的位置，

所述贯通基板具有：

第1预浸料层；

芯层，配置于所述第1预浸料层的下层；以及

第2预浸料层，配置于所述芯层的下层，

所述多个贯通导孔分别贯通所述第1预浸料层、所述芯层和所述第2预浸料层，

所述芯层的厚度大于所述第1预浸料层的厚度，并且所述芯层的厚度大于所述第2预浸料层的厚度。

2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，

所述功率晶体管具有栅极电极，

所述第2半导体装置是通过使施加到所述栅极电极的栅极电压变化而对所述功率晶体管的开关进行控制的预驱动器。

3.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，

在所述贯通基板的所述表面的所述第2区域设置有介于所述第1贯通导孔与所述第2半导体装置之间的栅极电阻元件。

4.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，

线缆插入所述第2贯通导孔，

所述第1端子与负载电连接，

所述第2端子与固定电位供给源电连接。

5.根据权利要求4所述的电子装置，其特征在于，

所述贯通基板具有：

第1配线层，形成于所述第1预浸料层的上表面；

第2配线层，形成于所述芯层的上表面；

第3配线层，形成于所述芯层的下表面；以及

第4配线层，形成于所述第2预浸料层的下表面，

所述第1配线层是构成所述控制电路的控制电路用配线层，

所述第2配线层是构成所述控制电路的控制电路用配线层，

所述第3配线层包括构成向所述负载供给电流的功率电路的功率电路用配线层以及与所述功率电路用配线层分离的控制电路用配线层，

所述第4配线层包括构成所述功率电路的功率电路用配线层以及与所述功率电路用配线层分离的控制电路用配线层。

6.根据权利要求5所述的电子装置，其特征在于，

在俯视视角下，形成于所述第3配线层的功率电路用配线层与形成于所述第4配线层的功率电路用配线层具有彼此重叠的区域，

形成于所述第3配线层的功率电路用配线层与形成于所述第4配线层的功率电路用配线层由所述第3贯通导孔连接。