[发明专利]多晶硅薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201710402194.1 | 申请日： | 2017-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN108987247A | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 张进 | 申请（专利权）人： | 江苏拓正茂源新能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C16/44;C23C16/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 221600 江苏省徐州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 多晶硅薄膜 氢化非晶硅薄膜 熔化 晶粒 晶核 薄膜 硅烷气体 退火处理 温度降低 原位掺杂 直接沉积 多晶硅 晶化 熔融 沉积 转化 | ||
【权利要求书】：
1.一种多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于：所述的制备方法包括以下步骤：
步骤一、以硅烷气体作为原材料，用LPCVD方法在500至600℃条件下沉积氢化非晶硅薄膜；
步骤二、将所述氢化非晶硅薄膜在600℃以上的高温下使其熔化；
步骤三、进行退火处理，使熔化的所述a-Si:H薄膜在温度降低的条件下出现晶核，随着温度的降低熔融的硅在晶核上继续晶化而使晶粒增大转化为多晶硅薄膜。
2.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于所述的步骤三中退火处理的退火温度在700℃以下范围内。
3.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于所述的步骤三中退火处理的退火时间大于10个小时。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
