[发明专利]非挥发性存储器

说明书

本发明公开一种非挥发性存储器，包括多个存储单元。各个存储单元包括基底、浮置栅极结构、选择栅极结构与第一掺杂区。浮置栅极结构设置于基底上。选择栅极结构设置于基底上，且位于浮置栅极结构的一侧。第一掺杂区设置于浮置栅极结构的另一侧的基底中。相邻两个存储单元之间的第一掺杂区相邻且彼此分离。上述非挥发性存储器可有效地防止在相邻的存储单元之间产生编程干扰。

技术领域

本发明涉及一种存储器结构，且特别是涉及一种非挥发性存储器。

背景技术

由于非挥发性存储器具有存入的数据在断电后也不会消失的优点，因此许多电器产品中必须具备此类存储器，以维持电器产品开机时的正常操作。然而，在非挥发性存储器中，相邻的存储单元在进行编程操作时，容易产生编程干扰(program disturbance)的问题。

发明内容

本发明提供一种非挥发性存储器，其可有效地防止在相邻的存储单元之间产生编程干扰。

本发明提出一种非挥发性存储器，包括多个存储单元。各个存储单元包括基底、浮置栅极结构、选择栅极结构与第一掺杂区。浮置栅极结构设置于基底上。选择栅极结构设置于基底上，且位于浮置栅极结构的一侧。第一掺杂区设置于浮置栅极结构的另一侧的基底中。相邻两个存储单元之间的第一掺杂区相邻且彼此分离。

依照本发明的一实施例所述，在上述的非挥发性存储器中，相邻两个存储单元可为镜像对称。

依照本发明的一实施例所述，在上述的非挥发性存储器中，还包括多个第一接触窗。第一接触窗分别耦接至第一掺杂区且彼此分离设置。

依照本发明的一实施例所述，在上述的非挥发性存储器中，第一接触窗可彼此耦接。

依照本发明的一实施例所述，在上述的非挥发性存储器中，还包括第一内连线结构。第一接触窗通过第一内连线结构进行耦接。

依照本发明的一实施例所述，在上述的非挥发性存储器中，还包括隔离结构。隔离结构设置于相邻的第一掺杂区之间。

依照本发明的一实施例所述，在上述的非挥发性存储器中，各个存储单元还包括第二掺杂区与第三掺杂区。第二掺杂区与第三掺杂区分别设置于选择栅极结构的一侧与另一侧的基底中。第三掺杂区位于选择栅极结构与浮置栅极结构之间。

依照本发明的一实施例所述，在上述的非挥发性存储器中，还包括第二接触窗。第二接触窗耦接至各个存储单元中的第二掺杂区。

依照本发明的一实施例所述，在上述的非挥发性存储器中，还包括第二内连线结构。第二内连线结构耦接至第二接触窗。

依照本发明的一实施例所述，在上述的非挥发性存储器中，还包括保护层。保护层覆盖浮置栅极结构。

依照本发明的一实施例所述，在上述的非挥发性存储器中，保护层可延伸至浮置栅极结构与选择栅极结构之间。

依照本发明的一实施例所述，在上述的非挥发性存储器中，保护层还可延伸至选择栅极结构上方且覆盖部分选择栅极结构。

依照本发明的一实施例所述，在上述的非挥发性存储器中，还包括终止层。终止层设置于保护层上且覆盖浮置栅极结构与选择栅极结构。

依照本发明的一实施例所述，在上述的非挥发性存储器中，浮置栅极结构包括浮置栅极与第一介电层。浮置栅极设置于基底上。第一介电层设置于浮置栅极与基底之间。

依照本发明的一实施例所述，在上述的非挥发性存储器中，浮置栅极例如是单层的掺杂多晶硅层。

依照本发明的一实施例所述，在上述的非挥发性存储器中，浮置栅极不耦接至任何外部电压。