[发明专利]非挥发性存储器

权利要求书

1.一种非挥发性存储器，其特征在于，包括多个存储单元，且各所述存储单元包括：

基底；

浮置栅极结构，设置于所述基底上；

选择栅极结构，设置于所述基底上，且位于所述浮置栅极结构的一侧；以及

第一掺杂区，设置于所述浮置栅极结构的另一侧的所述基底中，其中

相邻两个存储单元之间的两个第一掺杂区相邻且彼此分离，且

所述相邻两个存储单元为镜像对称。

2.根据权利要求1所述的非挥发性存储器，其特征在于，还包括多个第一接触窗，分别耦接至所述第一掺杂区且彼此分离设置。

3.根据权利要求2所述的非挥发性存储器，其特征在于，所述多个第一接触窗彼此耦接。

4.根据权利要求3所述的非挥发性存储器，其特征在于，还包括第一内连线结构，其中所述多个第一接触窗通过所述第一内连线结构进行耦接。

5.根据权利要求1所述的非挥发性存储器，其特征在于，还包括隔离结构，设置于相邻的所述两个第一掺杂区之间。

6.根据权利要求1所述的非挥发性存储器，其特征在于，各所述存储单元还包括第二掺杂区与第三掺杂区，分别设置于所述选择栅极结构的一侧与另一侧的所述基底中，其中所述第三掺杂区位于所述选择栅极结构与所述浮置栅极结构之间。

7.根据权利要求6所述的非挥发性存储器，其特征在于，还包括第二接触窗，耦接至各所述存储单元中的所述第二掺杂区。

8.根据权利要求7所述的非挥发性存储器，其特征在于，还包括第二内连线结构，耦接至所述第二接触窗。

9.根据权利要求1所述的非挥发性存储器，其特征在于，还包括保护层，覆盖所述浮置栅极结构。

10.根据权利要求9所述的非挥发性存储器，其特征在于，所述保护层延伸至所述浮置栅极结构与所述选择栅极结构之间。

11.根据权利要求10所述的非挥发性存储器，其特征在于，所述保护层还延伸至所述选择栅极结构上方且覆盖部分所述选择栅极结构。

12.根据权利要求9所述的非挥发性存储器，其特征在于，还包括终止层，设置于所述保护层上且覆盖所述浮置栅极结构与所述选择栅极结构。

13.根据权利要求1所述的非挥发性存储器，其特征在于，所述浮置栅极结构包括：

浮置栅极，设置于所述基底上；以及

第一介电层，设置于所述浮置栅极与所述基底之间。

14.根据权利要求13所述的非挥发性存储器，其特征在于，所述浮置栅极包括单层的掺杂多晶硅层。

15.根据权利要求13所述的非挥发性存储器，其特征在于，所述浮置栅极不耦接至任何外部电压。

16.根据权利要求1所述的非挥发性存储器，其特征在于，所述选择栅极结构包括：

选择栅极，设置于所述基底上；以及

第二介电层，设置于所述选择栅极与所述基底之间。

17.根据权利要求16所述的非挥发性存储器，其特征在于，所述选择栅极耦接至外部电压。

18.根据权利要求16所述的非挥发性存储器，其特征在于，所述选择栅极结构还包括金属硅化物层，设置于所述选择栅极上。

19.根据权利要求1所述的非挥发性存储器，其特征在于，非挥发性存储器包括存储器阵列，且所述存储器阵列是以所述相邻两个存储单元作为基本单元重复排列而成。