[发明专利]扇出型封装中的半导体结构在审
| 申请号： | 201710366923.2 | 申请日： | 2017-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN108630622A | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 廖文翔;陈焕能 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/31 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体管芯 半导体结构 模制化合物 扇出型封装 磁性结构 传输线 传输线耦合 锥形侧壁 耦合 集成电路 | ||
一种扇出型封装中的半导体结构，具有相邻于半导体管芯的一侧的模制化合物。磁性结构设置于所述模制化合物上方、所述半导体管芯上方及传输线周围，所述传输线耦合至所述半导体管芯的集成电路。所述磁性结构具有顶部磁性部分、底部磁性部分、第一侧磁性部分及第二侧磁性部分。所述第一侧磁性部分及所述第二侧磁性部分耦合至所述顶部磁性部分及所述底部磁性部分。所述第一侧磁性部分及所述第二侧磁性部分具有锥形侧壁。
技术领域
本发明实施例是有关于一种半导体结构(semiconductor arrangement)，且特别是有关于一种扇出型封装中的半导体结构(semiconductor arrangement in fan outpackaging)。
背景技术
在半导体结构中，各种导电材料层通过介电层或非导电层而彼此分隔开。在所述介电层内或贯穿所述介电层形成有导电通孔，以选择性地使不同导电层彼此耦合。传输线在一个或多个半导体结构中以类似方式耦合各电性组件。
发明内容
本发明实施例的一种扇出型封装中的半导体结构，具有相邻于半导体管芯的一侧的模制化合物。磁性结构设置于所述模制化合物上方、所述半导体管芯上方及传输线周围，所述传输线耦合至所述半导体管芯的集成电路。所述磁性结构具有顶部磁性部分、底部磁性部分、第一侧磁性部分及第二侧磁性部分。所述第一侧磁性部分及所述第二侧磁性部分耦合至所述顶部磁性部分及所述底部磁性部分。所述第一侧磁性部分及所述第二侧磁性部分具有锥形侧壁。
附图说明
结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本发明实施例的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。
图1是根据一个或多个实施例的半导体结构的透视图。
图2是根据一个或多个实施例的半导体结构的示意图。
图3至图27是根据一个或多个实施例的半导体结构在各种制造阶段的图式。
图28是根据一个或多个实施例的半导体结构的侧视图。
图29是根据一个或多个实施例的用于说明传输线的阻抗的第一曲线图、第二曲线图、第三曲线图及第四曲线图。
附图标记说明
102：半导体晶片
122：载体
204：第一导电垫
206：钝化层
208：光刻胶
210：第二导电垫
302：晶种层
402：第一晶种区
404：第二晶种区
502：第二光刻胶
504：第一区
506：第二区
508：宽度
510：高度
602：第一通孔连接件
604：第二通孔连接件
606：电化学镀工艺
702：旋涂工艺
704：第一介电层
802：研磨工艺
804：晶片的一部分
806：研磨带
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