[发明专利]半导体结构及其形成方法

说明书

本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，所述形成方法包括：提供衬底，所述衬底包括相对的第一面和第二面，所述第一面为功能面；在所述衬底第一面上形成塑封层；形成所述塑封层之后，对所述衬底第二面进行减薄处理。其中，进行所述减薄处理之前，在所述衬底第一面上形成塑封层。所述塑封层能够在所述减薄处理过程中，对所述衬底进行支撑，抑制塑封层发生褶皱或破碎。所述塑封层还用作对所述衬底进行封装的材料，所述减薄处理之后，所述塑封层不需要去除，从而能够简化工艺流程，降低工艺成本。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

背景技术

随着集成电路集成度的提高，封装技术越来越成为了微电子行业关注的热点。晶圆减薄是先进封装技术的组成部分，在芯片封装中具有重要应用。

减薄后的晶圆厚度很小，为了防止晶圆发生褶皱或断裂。现有技术对晶圆进行减薄的步骤包括：提供载片；将晶圆与载片进行键合；将晶圆与载片进行键合之后，对所述载片暴露出的晶圆表面进行减薄处理；所述减薄处理之后，对所述载片进行解键合，从而去除所述载片。

然而，现有的半导体结构的形成方法工艺复杂，生产成本较高。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种半导体结构及其形成方法，能够简化工艺流程，降低生产成本。

为解决上述问题，本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括相对的第一面和第二面，所述第一面为功能面；在所述衬底第一面上形成塑封层；形成所述塑封层之后，对所述衬底第二面进行减薄处理。

可选的，所述塑封层的材料为聚合物。

可选的，形成所述塑封层的步骤包括：在所述衬底第一面上形成前驱体；对所述前驱体进行加热处理，使所述前驱体固化，形成所述塑封层。

可选的，所述塑封层的厚度为100μm～600μm。

可选的，所述减薄处理的工艺包括：化学机械抛光工艺或TAIKO工艺。

可选的，所述减薄处理之前，还包括：在所述塑封层上形成覆盖层；所述减薄处理之后，去除所述覆盖层。

可选的，所述覆盖层的材料为玻璃。

可选的，所述减薄处理之后，还包括：在所述塑封层上形成第一连接层和位于所述第一连接层上的第一散热板。

可选的，所述减薄处理之后，还包括：在所述衬底第二面上形成第二连接层和第二散热板，所述第二连接层位于所述衬底第二面和所述第二散热板之间。

可选的，所述减薄处理之后，还包括：在所述衬底第二面上形成第二连接层和第二散热板，所述第二连接层位于所述衬底第二面和所述第二散热板之间，所述第一散热板和第二散热板的材料为陶瓷。

可选的，所述衬底第一面上具有焊盘；形成所述塑封层之前，还包括：在所述焊盘上形成连接柱。

可选的，所述连接柱的材料为铜或铝。

可选的，形成所述连接柱的步骤包括：在所述衬底第一面上和所述焊盘表面形成种子层；在所述种子层上形成第一光刻胶，所述第一光刻胶暴露所述焊盘表面的种子层；在所述第一光刻胶暴露出的种子层上形成连接柱。

可选的，所述塑封层覆盖所述连接柱侧壁和顶部表面；所述减薄处理之后，还包括：对所述塑封层进行打孔处理，在所述塑封层中形成焊孔，所述焊孔底部暴露出所述连接柱顶部表面；在所述焊孔中形成焊料层。

可选的，所述连接柱的材料为铜，所述焊料层的材料为锡。

可选的，所述打孔处理的工艺包括激光打孔。

可选的，所述打孔处理的工艺参数包括：激光波长为532nm。