[发明专利]一种半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括相邻的第一区域和第二区域，且所述衬底的第一区域上具有第一鳍部；所述衬底上有第二缓冲层，且所述第二缓冲层覆盖所述第一鳍部的侧壁表面，暴露出所述第一鳍部的掩膜结构；

在所述衬底上形成平坦化的第一隔离层，且所述第一隔离层覆盖所述第一鳍部的侧壁；

在所述第二区域的第一隔离层内形成第一开口，且所述第一开口暴露出衬底；

在所述第一隔离层内形成的第一开口的侧壁形成保护层；以所述第一隔离层为掩膜，刻蚀所述衬底，在所述衬底内形成第二开口，根据所述保护层的厚度，控制所述第二开口的宽度，使得所述第二开口的宽度小于所述第一开口的宽度；

在所述第一开口和第二开口内形成第二隔离层；

在形成所述第二隔离层之后，对第一隔离层和第二隔离层进行回刻蚀；

所述保护层的形成步骤包括：在所述第一隔离层上和第一开口的侧壁以及底部形成保护膜；对所述保护膜进行回刻蚀，暴露出所述第一隔离层的顶部表面和第一开口的底部；

所述第一隔离层的材料为有机聚合物；对所述保护膜的回刻蚀的工艺为各向异性的干法刻蚀工艺；所述干法刻蚀的反应气体包括O₂。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一隔离层的形成步骤包括：在所述衬底上形成第一隔离膜，且所述第一隔离膜覆盖所述第一鳍部的顶部表面；对第一隔离膜进行平坦化，形成所述第一隔离层。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一隔离层的材料包括氧化硅或氮氧化硅。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬底的第二区域上还具有第二鳍部；形成所述第一开口的步骤包括：在所述第二区域的第一隔离层上形成图形化层；以所述图形化层为掩膜，对所述第一隔离层和所述第二鳍部进行刻蚀，暴露出第二区域的衬底，形成第一开口。

5.如权利要求4所述的半导体结构形成方法，其特征在于，对所述第一隔离层和所述第二鳍部进行刻蚀的刻蚀工艺为干法刻蚀工艺，对所述第一隔离层和所述第二鳍部的进行刻蚀干法刻蚀工艺为各向异性的干法刻蚀工艺。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述第一隔离层和所述第二鳍部的进行刻蚀的干法刻蚀的反应气体包括N₂、CHF₃、CF₄和SO₂，所述N₂的气体流量范围为50cssm～300sccm，所述CHF₃的气体流量范围为20sccm～500sccm，所述CF₄的气体流量范围为10sccm～300sccm，所述SO₂的气体流量范围为10sccm～200sccm。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料包括氮化硅、碳氮化硅或氮氧化硅。

8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述保护膜回刻蚀的干法刻蚀的反应气体包括N₂、CHF₃和O₂，所述N₂的气体流量范围为50cssm～300sccm，所述CHF₃的气体流量范围为5sccm～100sccm，所述O₂的气体流量范围为10sccm～200sccm。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一开口和第二开口内形成第二隔离层的步骤包括：在所述第一隔离层表面形成填充所述第二开口的第二隔离膜；对第二隔离膜进行平坦化，直至暴露出第一隔离层的顶部表面。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二隔离层的材料包括氧化硅或氮氧化硅。