[发明专利]一种修调电路

权利要求书

1.一种修调电路，其特征在于，包括：多个修调压点和一个或多个熔丝，其中，多个修调压点中至少存在一个第一修调压点，所述第一修调压点的部分电路与部分保护环的顶层金属层重合；所述保护环位于芯片和划片槽之间，包括从底层到顶层的所有金属层；所述划片槽为两个芯片之间保留的空隙；

其他所述修调压点通过所述熔丝连接至保护环，所述熔丝位于所述保护环内部，所述第一修调压点通过所述保护环和所述熔丝与其他所述修调压点电连接。

2.如权利要求1所述的修调电路，其特征在于，所述第一修调压点的另一部分电路位于划片槽的上表面。

3.如权利要求1所述的修调电路，其特征在于，所述修调压点的数量为M，所述熔丝的数量为N，M＝N+Δ，其中，M和N均为自然数，Δ为不小于1的自然数。

4.如权利要求3所述的修调电路，其特征在于，M＝4，N＝3，Δ＝1。

5.如权利要求4所述的修调电路，其特征在于，所述修调电路包括：一个所述第一修调压点和三个其他修调压点；所述其他修调压点位于所述保护环内，包括：第二修调压点、第三修调压点和第四修调压点，所述第二修调压点位于所述第一修调压点的右侧，所述第三修调压点位于所述第二修调压点的上方，所述第四修调压点位于所述第二修调压点的右侧；所述熔丝包括：第一熔丝、第二熔丝和第三熔丝；

其中，所述第二修调压点与所述第一修调压点通过所述第一熔丝连接，所述第三修调压点通过所述第二熔丝连接至所述保护环，所述第四修调压点通过所述第三熔丝连接至所述保护环。

6.如权利要求1所述的修调电路，其特征在于，所述熔丝的阻值小于预设值。

7.如权利要求1所述的修调电路，其特征在于，所述修调压点的面积不小于50微米*50微米。

8.如权利要求1所述的修调电路，其特征在于，所述熔丝的形状为两端宽中间窄。