[发明专利]半导体器件的制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底结构，所述基底结构包括晶体管，所述晶体管包括栅极结构以及位于所述栅极结构两侧的源极、漏极；

进行预清洗；

进行所述预清洗后，至少在所述源极、漏极的表面形成金属层；

向所述源极、漏极的表面掺入掺杂物，所述掺杂物的类型与所述源极、漏极的掺杂类型相同；

进行退火，以使掺入了所述掺杂物的所述金属层与所述源极、漏极的表层反应生成金属硅化物。

2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在所述源极、漏极的表面形成金属层之后，向所述源极、漏极的表面掺入掺杂物。

3.如权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：

在所述源极、漏极的表面形成金属层之后，向所述源极、漏极的表面掺入掺杂物之前，在所述金属层上形成保护层；

向所述源极、漏极的表面掺入掺杂物之后，去除所述保护层。

4.如权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，向所述源极、漏极的表面掺入掺杂物之后，执行所述进行退火的步骤之前，去除所述保护层。

5.如权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料包括氧化硅。

6.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：在所述源极、漏极上形成插塞。

7.如权利要求6所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述基底结构还包括覆盖所述晶体管的层间介电层，所述插塞的形成方法包括：

在所述预清洗之前，在所述层间介电层内形成露出所述源极、漏极的接触孔；

所述退火之后，向所述接触孔内填充导电材料以形成所述插塞。

8.如权利要求7所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在所述预清洗之前，在所述接触孔的侧壁形成侧墙。

9.如权利要求1至8任一项所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述晶体管为鳍式场效应晶体管。

10.如权利要求9所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述鳍式场效应晶体管包括鳍部，所述栅极结构位于所述鳍部之上，并包括金属栅极以及所述金属栅极之上的盖帽层，所述源极、漏极包括位于所述鳍部内的凹槽以及填充于所述凹槽内的半导体材料。

11.如权利要求1至8任一项所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述晶体管包括PMOS晶体管、NMOS晶体管中的至少一个。

12.如权利要求1至8任一项所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述掺杂物为B或P。

13.如权利要求1至8任一项所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述预清洗包括：物理溅射和干法刻蚀。

14.如权利要求13所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述物理溅射采用Ar，且工艺参数包括：射频功率为100W～400W。

15.如权利要求13所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述干法刻蚀为Siconi预清洗工艺，且工艺参数包括：He的流量为600SCCM～2000SCCM，NH₃的流量为200SCCM～500SCCM，NF₃的流量为20SCCM～200SCCM，气压为2Torr～10Torr，时间为5s～100s。