[发明专利]测量半导体装置的横向扩散长度的方法

说明书

本发明提供测量半导体装置的横向扩散长度的方法，此方法包含提供基底，在基底上形成复数个宽度逐渐缩小的遮罩，遮罩之间具有尺寸大致相同的复数个开口，经由开口植入掺质于基底，以形成复数个掺杂区，其中这些掺杂区的复数个间距逐渐缩小，直到两相邻掺杂区接触，其中这些间距具有一最小间距且邻接接触的两相邻掺杂区，在这些开口中形成导电材料以各自在这些掺杂区上形成复数个电极，藉由测量相邻的两电极之间的电性，以找出接触的两相邻掺杂区及最小间距的位置，以及测量最小间距上方的遮罩的宽度以计算这些掺杂区的横向扩散长度。

技术领域

本发明系有关于半导体制作工艺，特别为有关于测量半导体装置的横向扩散(lateral diffusion)长度的方法。

背景技术

在半导体的发展史中，随着半导体装置的元件尺寸微缩化，掺杂区在半导体装置中横向扩散的测量方法日益重要。通过测量掺杂区横向扩散的长度，可控制掺杂区之间的通道区的通道长度。

传统上，通常通过扫描电子显微镜(scanning electron microscope，SEM)或扫描电容显微镜(scanning capacitance microscopy，SCM)等物理方式测量掺杂区横向扩散的宽度。然而，扫描电子显微镜和扫描电容显微镜的解析度仍有待提升。

因此，有必要寻求测量半导体装置的横向扩散长度的方法，其能够解决或改善上述的问题。

发明内容

本发明的一些实施例提供掺杂区横向扩散的测量方法，包括：提供基底；在基底上形成复数个宽度逐渐缩小的遮罩，遮罩之间具有尺寸相同的复数个开口；经由开口植入掺质于基底，以形成复数个掺杂区，其中这些掺杂区的复数个间距逐渐缩小，直到两相邻掺杂区接触，其中这些间距具有一最小间距且邻接接触的两相邻掺杂区；在这些开口中形成导电材料以各自在这些掺杂区上形成复数个电极；藉由测量相邻的两电极之间的电性，以找出接触的两相邻掺杂区及最小间距的位置；以及测量最小间距上方的遮罩的宽度以计算这些掺杂区的横向扩散长度。

附图说明

图1A-图1D显示依据本发明的一些实施例的测量半导体装置的横向扩散长度的方法在各阶段的剖面示意图。

符号说明:

100 基底；

101、102、103、104、105 遮罩；

110 掺杂制作工艺；

201、202、203、204 开口；

205 空间；

301、302、303、304、305 掺杂区；

401、402、403、404、405 电极；

a 横向扩散长度；

x₁、x₂、x₃、x₄、x₅、y₁、y₂、y₃、y₄ 宽度；

z₁、z₂、z₃ 间距。

具体实施方式

以下说明本发明实施例的测量半导体装置的横向扩散长度的方法。然而，可轻易了解本发明实施例提供许多合适的发明概念而可实施于广泛的各种特定背景。所揭示的特定实施例仅用于说明以特定方法制作及使用本发明，并非用以局限本发明的范围。再者，在本发明实施例的图式及说明内容中系使用相同的标号来表示相同或相似的部件。