[发明专利]测量半导体装置的横向扩散长度的方法

权利要求书

1.一种测量半导体装置的横向扩散长度的方法，其特征在于，所述的方法包括:

提供一基底，所述基底具有一第一导电型；

在所述的基底上形成复数个宽度逐渐缩小的遮罩，所述的遮罩之间具有尺寸相同的复数个开口；

经由所述的开口植入一掺质于所述的基底，以形成复数个掺杂区，所述的掺杂区具有不同于所述的第一导电型的一第二导电型，其中所述的掺杂区的复数个间距逐渐缩小，直到两相邻掺杂区接触，其中所述的间距具有一最小间距，且所述的最小间距邻接所述的接触的两相邻掺杂区的其中之一；

在所述的开口中形成导电材料以各自在所述的掺杂区上形成复数个电极；

藉由测量到相邻的两电极之间的一短路现象，可得知所述的两电极下方为所述的接触的两相邻掺杂区，进而找出邻接所述的接触的两相邻掺杂区的其中一的所述的最小间距的位置；以及

测量所述的最小间距上方的遮罩的宽度以计算所述的掺杂区的一横向扩散长度。

2.如权利要求1所述的测量半导体装置的横向扩散长度的方法，其特征在于，所述的基底和所述的掺杂区具有相同的导电型，且所述的掺杂区的掺杂浓度大于所述的基底的掺杂浓度。

3.如权利要求1所述的测量半导体装置的横向扩散长度的方法，其特征在于，所述的掺杂区的掺杂浓度相同。

4.如权利要求1所述的测量半导体装置的横向扩散长度的方法，其特征在于，所述的掺杂区的掺杂浓度为10¹⁰cm^-3至10¹⁸cm^-3。

5.如权利要求1所述的测量半导体装置的横向扩散长度的方法，其中所述的遮罩的宽度等幅度地缩小。

6.如权利要求1所述的测量半导体装置的横向扩散长度的方法，其特征在于，所述的接触的两相邻掺杂区不互相重迭。

7.如权利要求1所述的测量半导体装置的横向扩散长度的方法，其特征在于，所述的横向扩散长度为所述的最小间距上方的遮罩的宽度的一半。

8.如权利要求1所述的测量半导体装置的横向扩散长度的方法，其特征在于，通过实施一离子布植制作工艺和一退火制作工艺植入所述的掺质于所述的基底。

9.如权利要求1所述的测量半导体装置的横向扩散长度的方法，其特征在于，所述的导电层直接接触所述的掺杂区。

10.如权利要求1所述的测量半导体装置的横向扩散长度的方法，其特征在于，所述的方法更包括在进行电性测试之前，移除所述的遮罩。

11.如权利要求1所述的测量半导体装置的横向扩散长度的方法，其特征在于，通过施加一电压于相邻的两电极的其中一者，并将相邻的两电极的另外一者和所述的基底接地，以测量相邻的两电极之间的电性。