[发明专利]一种互补型薄膜晶体管及其制作方法和阵列基板

说明书

本发明公开了一种互补型薄膜晶体管及其制作方法和阵列基板，属于半导体领域。该制作方法包括在有源层图形上形成第一半导体层，对第一半导体层进行图形化处理以形成第一欧姆接触层；在有源层图形上形成第二半导体层，对第二半导体层进行图形化处理以形成第二欧姆接触层，通过在制作互补型薄膜晶体管的过程中，在有源层图形上形成第一半导体层，对第一半导体层进行图形化处理，形成第一欧姆接触层，在有源层图形上形成第二半导体层，对第二半导体层进行图形化处理，形成第二欧姆接触层，由于第一半导体层和第二半导体层中的一个为n型半导体层，另一个为p型半导体层,因此不需要进行掺杂，可以降低CMOS型TFT的制作成本。

技术领域

本发明涉及半导体领域，特别涉及一种互补型薄膜晶体管及其制作方法和阵列基板。

背景技术

无论是液晶显示器还是有机发光二极管显示器，通常都是采用TFT(英文：ThinFilm Transistor，中文：薄膜晶体管)制作驱动电路，在显示器中，像素单元中的每个子像素单元都会对应设置至少一个TFT，通过TFT的通断来控制子像素单元的点亮和熄灭，例如在有机发光二极管显示器中，每个像素单元通常包括三个子像素单元，每个子像素单元设有一个有机发光二极管，而每一个有机发光二极管则会对应设置至少一个TFT，TFT导通时，与之对应的有机发光二极管就会点亮，反之则会熄灭。

目前为了降低显示器的功耗，通常都采用CMOS(英文：Complementary MetalOxide Semiconductor，中文：互补金属氧化物半导体)型TFT，即互补型薄膜晶体管来驱动有机发光二极管发光。一个CMOS型TFT由一个P型金属氧化物薄膜晶体管和一个N型金属氧化物薄膜晶体管构成。

在现有的CMOS型TFT的制作过程中，通常先沉积一层非掺杂的有源层，然后对非掺杂的有源层的一部分区域进行掺杂，从而形成欧姆接触层，由于P型金属氧化物薄膜晶体管中需要设置P型欧姆接触层，N型金属氧化物薄膜晶体管中需要设置N型欧姆接触层，两种欧姆接触层的掺杂元素不同，因此需要分别设置掩膜进行掺杂，例如先在N型金属氧化物薄膜晶体管上方设置掩膜，对P型金属氧化物薄膜晶体管处的欧姆接触层进行掺杂以形成P型欧姆接触层，之后再在P型金属氧化物薄膜晶体管上方设置掩膜，对N型金属氧化物薄膜晶体管处的欧姆接触层进行掺杂以形成N型欧姆接触层，制作过程中需要进行两次掺杂，由于掺杂工艺要求高，且掺杂设备复杂，价格昂贵，这会增加CMOS型TFT的制作成本。

发明内容

为了解决现有CMOS型TFT制作成本高的问题，本发明实施例提供了一种互补型薄膜晶体管及其制作方法和阵列基板。所述技术方案如下：

一方面，本发明实施例提供了一种互补型薄膜晶体管的制作方法，所述制作方法包括：

在有源层图形上形成第一半导体层，并对所述第一半导体层进行图形化处理以在第一有源层上形成第一欧姆接触层，所述有源层图形包括同层设置且相互间隔的第一有源层和第二有源层；

在所述有源层图形上形成第二半导体层，并对所述第二半导体层进行图形化处理以在所述第二有源层上形成第二欧姆接触层；

其中，所述第一半导体层和所述第二半导体层中的一个为n型半导体层，另一个为p型半导体层，

当所述第一半导体层为n型半导体层时，采用SiH₄、PH₃和H₂在所述有源层图形上沉积第一半导体材料以形成所述第一半导体层，或者当所述第一半导体层为p型半导体层时，采用SiH₄、B₂H₆和H₂在所述有源层图形上沉积第一半导体材料以形成所述第一半导体层；