[发明专利]微型发光二极管器件及其制作方法

权利要求书

1.微型发光二极管器件，包括：

微器件单元阵列，相邻的微器件单元之间具有间隙，每个微器件单元具有半导体外延结构；

连接层，位于所述微器件单元之间的间隙，至少与一个微器件单元连接；

固定层，位于所述微器件单元阵列的下方，仅与所述连接层的下表面接触，并在所述微器件单元的下方形成空腔；

其特征在于：所述连接层由所述微器件单元的半导体外延结构向间隙延伸并减薄至一定厚度而成。

2.根据权利要求1所述的微型发光二极管器件，其特征在于：所述连接层与至少一个微器件单元的下表面连接，并向间隙延伸形成连接区，所述固定层仅与连接区接触。

3.根据权利要求1所述的微型发光二极管器件，其特征在于：所述连接层由构成所述微器件单元的材料层向所述间隙延伸而成，并在间隙内形成连接区，所述固定层仅与所述连接区接触。

4.根据权利要求3所述的微型发光二极管器件，其特征在于：所述连接层向所述间隙延伸的长度为相邻的微器件单元之间距离的1/2以上。

5.根据权利要求1所述的微型发光二极管器件，其特征在于：所述连接层为一系列离散的图案构成，每个图案呈条状或块状。

6.根据权利要求5所述的微型发光二极管器件，其特征在于：所述连接层至少同时连接两个微器件单元。

7.根据权利要求1所述的微型发光二极管器件，其特征在于：所述微器件单元为发光二极管单元，所述连接层为AlGaInP系材料层或GaN基材料层。

8.根据权利要求1所述的微型发光二极管器件，其特征在于：所述微器件单元为AlGaInP系发光二极管，其包括窗口层，所述连接层为窗口层向间隙延伸并减薄至一定厚度而成。

9.根据权利要求1所述的微型发光二极管器件，其特征在于：所述连接层的厚度为10~500nm。

10.根据权利要求1所述的微型发光二极管器件，其特征在于：所述固定层与所述连接层的接触面积小于所述连接层位于所述间隙内的投影面积。

11.根据权利要求1所述的微型发光二极管器件，其特征在于：所述微器件单元下方的空腔尺寸大于该微器件的尺寸。

12.根据权利要求1所述的微型发光二极管器件，其特征在于：所述微器件单元正对其下方的空腔，且尺寸大于所述空腔的尺寸。

13.微型发光二极管器件的制作方法，包括步骤：

（1）提供半导体外延结构，具有相对的上表面和下表面；

（2）在所述半导体外延结构的表面上定义一系列微器件单元区、切割道区和连接区，其中连接区位于切割道区内；

（3）在所述外延结构下表面的微器件单元区对应形成一系列牺牲层单元；

（4）在所述牺牲层上形成固定层，并向切割道区延伸，与所述半导体外延结构下表面的切割道区接触；

（5）去除所述切割道区的外延结构从而在所述切割道区形成间隙，并在连接区保留一定厚度作为连接层；

（6）去除所述牺牲层，此时外延结构在各个微器件单元区的下方形成空腔，仅连接层与所述固定层接触。

14.根据权利要求13所述的微型发光二极管器件的制作方法，其特征在于：所述步骤（3）中，所述牺牲层单元的面积大于所述微器件单元区的面积。

15.根据权利要求13所述的微型发光二极管器件的制作方法，其特征在于：所述步骤（3）中，所述牺牲层单元完全覆盖所述微器件单元区，并部分覆盖所述切割道区。