[发明专利]半导体装置

说明书

本发明的实施方式提供一种能够提高动作可靠性的半导体装置。根据实施方式，通过第一转换电路将输入信号转换为与输入信号对应的电流，通过第二转换电路将经转换的电流转换为与经转换的电流对应的电压。晶体管具备：漏极端子及源极端子，供来自定电流源的电流流动；以及栅极端子，经由所述传输路径被施加经第二转换电路转换的电压。而且，通过放大电路，将晶体管的漏极电压与参考电压的差分电压放大。

[相关申请案]

本申请案享有以日本专利申请案2016-161067号(申请日：2016年8月19日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参考该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式一般涉及一种半导体装置。

背景技术

近年来的半导体装置是通过使用振幅电压不同的信号，将小振幅信号传输至使用大振幅信号的电路，来谋求半导体装置整体的省电化。

发明内容

本发明的实施方式提供一种能够提高动作可靠性的半导体装置。

实施方式的半导体装置中，通过第一转换电路将输入信号转换为与输入信号对应的电流，通过第二转换电路将经转换的电流转换为与经转换的电流对应的电压。晶体管具备：漏极端子，接收来自定电流源的电流；及栅极端子，被施加由传输路径传输的电压。而且，通过放大电路，将晶体管的漏极电压与参考电压的差分电压放大。

附图说明

图1是表示第一实施方式的半导体装置的构成的图。

图2是表示第一实施方式的半导体装置的构造的剖视图。

图3是表示第一实施方式的半导体装置的构造的剖视图。

图4是表示在存储芯片10设置有电流驱动电路13，在接口芯片20设置有电流接收放大电路23的半导体装置的图。

图5是表示在存储芯片10设置有电流接收放大电路23，在接口芯片20设置有电流驱动电路13的半导体装置的图。

图6是表示在存储芯片10设置有电流驱动电路13及电流接收放大电路23，在接口芯片20设置有电流驱动电路13及电流接收放大电路23的半导体装置的图。

图7是表示第一实施方式的使用nMOS(N-channel Metal Oxide Semiconductor，N型金氧半导体)晶体管的小振幅电路SA的图。

图8是表示第一实施方式的使用pMOS(P-channel Metal Oxide Semiconductor，P型金氧半导体)晶体管的小振幅电路SA的图。

图9是用来说明小振幅电路SA的动作的时序图。

图10是表示比较例的小振幅电路SA的电路图的图。

图11是表示比较例的小振幅电路SA的第一例的电源电路的电路图的图。

图12是表示比较例的小振幅电路SA的第二例的电源电路的电路图的图。

图13是用来说明比较例的小振幅电路SA的小振幅信号DSA为“L”(接地电位Vss)的情况下(图15的期间t1-t2)的动作的图。

图14是用来说明比较例的小振幅电路SA的小振幅信号DSA为“H”(小振幅电位VSA)的情况下(图15的期间t2-t3)的动作的图。

图15是用来说明比较例的小振幅电路SA的动作的时序图。

图16是表示用来说明第一实施方式的半导体装置的效果的比较例的半导体装置的构成的图。

图17是表示第二实施方式的半导体装置的使用nMOS晶体管的小振幅电路SA的图。