[发明专利]用于氮化物外延生长的叠层基板及其形成方法在审
| 申请号： | 201710122936.5 | 申请日： | 2017-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN106835269A | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 闫发旺;张峰;赵倍吉;谢杰 | 申请（专利权）人： | 上海新傲科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B29/38;C30B29/40;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 201821 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 氮化物 外延 生长 叠层基板 及其 形成 方法 | ||
1.一种用于氮化物外延生长的叠层基板，其特征在于，包括：
至少一组堆叠结构，所述堆叠结构包括氮化铪层和氮化铝层，所述氮化铪层和氮化铝层相互堆叠；
所述叠层基板具有六方晶体结构。
2.根据权利要求1所述的叠层基板，其特征在于，所述氮化铪层的厚度为1nm～500nm；所述氮化铝层的厚度为1nm～500nm。
3.根据权利要求1所述的叠层基板，其特征在于，所述堆叠结构的数量为1～500组。
4.根据权利要求1所述的叠层基板，其特征在于，所述堆叠结构位于半导体衬底表面。
5.根据权利要求1所述的叠层基板，其特征在于，所述外延生长的工艺包括金属有机化学气相沉积、分子束外延或氢化物气相外延。
6.一种用于氮化物外延生长的叠层基板的形成方法，其特征在于，包括：
采用真空沉积工艺形成至少一组堆叠结构，所述堆叠结构包括氮化铪层和氮化铝层，所述氮化铪层和氮化铝层相互堆叠，使得形成的叠层基板具有六方晶体结构。
7.根据权利要求6所述的叠层基板的形成方法，其特征在于，所述真空沉积工艺包括离子束沉积工艺、磁控溅射工艺或原子层外延工艺。
8.根据权利要求6所述的叠层基板的形成方法，其特征在于，所述氮化铪层的厚度为1nm～500nm；所述氮化铝层的厚度为1nm～500nm。
9.根据权利要求6所述的叠层基板的形成方法，其特征在于，形成1～500组所述堆叠结构。
10.根据权利要求6所述的叠层基板的形成方法，其特征在于，在半导体衬底上形成所述堆叠结构。
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