[发明专利]具有受光元件的半导体装置

权利要求书

1.一种具有受光元件的半导体装置，其具备多个基于PN结的光电二极管，该PN结由形成于第1导电型半导体衬底的上表面的第2导电型层区域和所述第1导电型半导体衬底形成，该具有受光元件的半导体装置的特征在于，具有：

由单晶硅构成的SOI层，其在所述光电二极管与相邻的光电二极管之间隔着埋入氧化膜而设置在所述第1导电型半导体衬底上；以及

氧化膜，其设置在所述光电二极管和所述SOI层上。

2.根据权利要求1所述的具有受光元件的半导体装置，其特征在于，

所述SOI层的厚度比遮挡的光的到达深度厚。

3.根据权利要求1所述的具有受光元件的半导体装置，其特征在于，

所述SOI层在俯视时与所述光电二极管重叠。

4.根据权利要求1～3中的任意一项所述的具有受光元件的半导体装置，其特征在于，

所述氧化膜由所述埋入氧化膜和形成在所述埋入氧化膜上的绝缘氧化膜构成。

5.根据权利要求1～3中的任意一项所述的具有受光元件的半导体装置，其特征在于，

所述氧化膜由绝缘氧化膜构成。