[发明专利]有源发光二极管模块

权利要求书

1.一种照明装置，其包括：

第一发光二极管LED，其至少具有第一电导率的第一LED层和第二电导率的第二LED层，所述第一LED层和所述第二LED层在半导体材料的顶部表面上被外延生长；

第一晶体管，其在所述半导体材料的所述顶部表面上或其中形成，所述第一晶体管具有第一载流节点、第二载流节点和控制节点，其中所述第一载流节点为连接到漏极阱的漏极节点，所述第二载流节点为连接到源极阱的源极节点，且所述控制节点为连接到栅极阱的栅极节点，其中所述漏极阱围绕所述栅极阱并且所述栅极阱围绕所述源极阱；及

第一导体，其涂布在所述第一LED的所述第一LED层上，

所述第一LED经由所述第一导体电接合及机械地接合到所述第一晶体管的所述第一载流节点，

所接合的第一LED及第一晶体管一起经单件化，使得所述第一晶体管的大小实质与所述第一LED相同，

所述第一LED经配置以在第一电压施加到所述第二LED层、第二电压施加到所述第二载流节点，及第一控制电压施加到所述控制节点时发射光。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述半导体材料包括导电衬底，其中跨越所述衬底的底部表面和所述第二LED层施加所述电压以当所述第一晶体管接通时照亮所述LED。

3.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一晶体管为场效应晶体管FET。

4.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一晶体管为双极性晶体管。

5.根据权利要求1所述的装置，其中所述装置为三端子装置，其中所述LED的所述第二LED层连接到所述装置的第一端子，所述第一晶体管的所述第二载流节点电耦合到所述装置的第二端子，且所述第一晶体管的所述控制节点耦合到所述装置的第三端子。

6.根据权利要求1所述的装置，其中所述半导体材料包括硅、SiC、GaN和GaAs中的一者。

7.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一LED和所述第一晶体管为第一模块的部分，所述装置进一步包括包含第一模块的多个模块，其中所述多个模块中的LED发射不同波长的光。

8.根据权利要求7所述的装置，其中所述装置发射红光、绿光和蓝光的组合。

9.一种用于形成发光装置的方法，其包括：

提供半导体材料；

生长第一发光二极管LED的多个层，所述多个层包括第一导电率的第一LED层和第二导电率的第二LED层，所述第一LED层和所述第二LED层在所述半导体材料的顶部表面被外延生长；

在所述半导体材料的所述顶部表面上或其中形成第一晶体管，所述第一晶体管具有第一载流节点、第二载流节点和控制节点，其中所述第一载流节点为连接到漏极阱的漏极节点，所述第二载流节点为连接到源极阱的源极节点，且所述控制节点为连接到栅极阱的栅极节点，其中所述漏极阱围绕所述栅极阱并且所述栅极阱围绕所述源极阱；

在所述第一LED的所述第一LED层上形成第一导体；及

经由所述第一导体将所述第一LED电接合及机械地接合到所述第一晶体管的所述第一载流节点，

所接合的第一LED及第一晶体管一起经单件化，使得所述第一晶体管的大小实质与所述第一LED相同，

所述第一LED经配置以在第一电压施加到所述第二LED层、第二电压施加到所述第二载流节点，及第一控制电压施加到所述控制节点时发射光。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述半导体材料包括导电衬底，其中跨越所述衬底的底部表面和所述第二LED层施加所述电压以当所述第一晶体管接通时照亮所述LED。

11.根据权利要求9所述的方法，其中所述装置为三端子装置，其中所述LED的所述第二LED层连接到所述装置的第一端子，所述第一晶体管的所述第二载流节点电耦合到所述装置的第二端子，且所述第一晶体管的所述控制节点耦合到所述装置的第三端子。

12.根据权利要求9所述的方法，其中所述半导体材料包括硅、SiC、GaN和GaAs中的一者。