[发明专利]毛刺的去除方法及半导体装置的制造方法

说明书

本发明的目的在于提供毛刺的去除方法及半导体装置的制造方法，在去除引线框上的树脂毛刺时，减少对半导体装置的损伤。本发明的毛刺的去除方法去除从封装半导体芯片的封装部突出设置的引线框中的毛刺，包括第一去除步骤，该第一去除步骤将引线框加热，且向引线框喷射流体而去除毛刺。还可以具备第二去除步骤，该第二去除步骤在第一去除步骤之后，去除比第一去除步骤中喷射流体的范围更窄的范围内的毛刺，可以在第二去除步骤中向引线框局部照射激光而去除毛刺。

技术领域

本发明涉及一种毛刺的去除方法及半导体装置的制造方法。

背景技术

在使用树脂等封装半导体芯片的半导体装置的制造工艺中，有时在暴露于封装材料外侧的引线框上附着微量的封装材料。以往，已知使用激光等去除附着在引线框上的封装材料的方法(例如，参照专利文献1和2)。

专利文献1：日本特开2011-91194号公报

专利文献2：日本特开2007-258490号公报

发明内容

技术问题

如果长时间使用激光去除附着在引线框上的封装材料，则有时会发生烧焦引线框的表面等对半导体装置带来损伤的情况。

本发明的第1方面，提供一种去除以从封装半导体芯片的封装部突出的方式设置的引线框中的毛刺的去除方法。去除方法可以包括第一去除步骤，将引线框加热，且向引线框喷射流体而去除毛刺。

去除方法还可以包括第二去除步骤，在第一去除步骤之后，去除比第一去除步骤中喷射流体的范围更窄的范围内的毛刺。在第二去除步骤中，可以向引线框局部照射激光来去除毛刺。

在第一去除步骤中，可以通过向引线框喷射已经加热的流体，从而加热引线框，并且去除毛刺。流体可以包括液体、蒸汽和非活性气体中的至少一种。

在第一去除步骤中，也可以对流体进行加热，以使得流体的温度在90度以上且封装部的后硬化温度以下。在第一去除步骤中，还可以对流体进行加热，以使得流体的温度在120度以上且在130度以下。在第一去除步骤中，也可以对引线框进行加热，将流体喷射到已经加热的引线框上，去除毛刺。

在第一去除步骤中，可以使用设置在封装部与被喷射流体的位置之间且保护封装部不受到流体影响的保护部，将流体喷射到引线框上。保护部保护引线框的至少一部分不受到流体影响，在第二去除步骤中，可以去除通过保护部保护不受流体影响的区域的引线框上的毛刺。保护部可以具有厚度为引线框1倍以上且2倍以下的板状部件。

在本发明的第2方面中，提供一种半导体装置的制造方法。制造方法可以包括形成包含半导体芯片的电子电路的电路形成步骤。制造方法可以包括封装电子电路和连接在电子电路上的引线框的一部分，且形成使引线框露出的封装部的封装部形成步骤。制造方法也可以包括将引线框加热且向引线框喷射流体而去除毛刺的第一去除步骤。

应予说明，上述的发明内容未列举本发明的所有特征。另外，这些特征群的再组合也能够成为发明。

附图说明

图1是说明半导体装置100的概要的图。

图2是说明去除毛刺30的第一去除步骤的一个示例的图。

图3是在环氧系树脂中的温度与粘接强度之间的关系的示意图。

图4是图2所示的第一去除步骤之后的第二去除步骤的示意图。

图5是说明半导体装置100的制造工艺的一部分的图。

图6是说明第一去除步骤的其他示例的截面图。

图7是半导体装置100的制造工艺的一个示例的图。