[发明专利]毛刺的去除方法及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种毛刺的去除方法，其特征在于，去除附着于以从封装半导体芯片的封装部突出的方式设置的引线框的毛刺，所述去除方法包括：

第一去除步骤，将所述引线框加热，且向所述引线框喷射流体而去除所述毛刺。

2.根据权利要求1所述的去除方法，其特征在于，所述去除方法还包括第二去除步骤，该第二去除步骤在所述第一去除步骤之后去除比所述第一去除步骤中喷射流体的范围更窄的范围内的所述毛刺。

3.根据权利要求2所述的去除方法，其特征在于，在所述第二去除步骤中，向所述引线框局部照射激光而去除所述毛刺。

4.根据权利要求2或3所述的去除方法，其特征在于，在所述第一去除步骤中，通过将已经加热的所述流体喷射到所述引线框来加热所述引线框，同时去除所述毛刺。

5.根据权利要求4所述的去除方法，其特征在于，所述流体包括液体、蒸汽和非活性气体中的至少一种。

6.根据权利要求4所述的去除方法，其特征在于，在所述第一去除步骤中，对所述流体进行加热，以使得所述流体的温度在90度以上且所述封装部的后硬化温度以下。

7.根据权利要求5所述的去除方法，其特征在于，在所述第一去除步骤中，对所述流体进行加热，以使得所述流体的温度在90度以上且所述封装部的后硬化温度以下。

8.根据权利要求4所述的去除方法，其特征在于，在所述第一去除步骤中，对所述流体进行加热，以使得所述流体的温度在120度以上且130度以下。

9.根据权利要求5所述的去除方法，其特征在于，在所述第一去除步骤中，对所述流体进行加热，以使得所述流体的温度在120度以上且130度以下。

10.根据权利要求2或3所述的去除方法，其特征在于，在所述第一去除步骤中，对所述引线框进行加热，将所述流体喷射到已经加热的所述引线框来去除所述毛刺。

11.根据权利要求2或3所述的去除方法，其特征在于，在所述第一去除步骤中，使用保护部，并将所述流体喷射到所述引线框上，所述保护部设置在所述封装部与被喷射所述流体的位置之间且保护所述封装部不受到所述流体影响。

12.根据权利要求11所述的去除方法，其特征在于，所述保护部保护所述引线框的至少一部分不受到所述流体影响，在所述第二去除步骤中，去除所述引线框的被所述保护部保护不受所述流体影响的区域的毛刺。

13.根据权利要求11所述的去除方法，其特征在于，所述保护部具有厚度为所述引线框的1倍以上且2倍以下的板状部件。

14.根据权利要求12所述的去除方法，其特征在于，所述保护部具有厚度为所述引线框的1倍以上且2倍以下的板状部件。

15.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

电路形成步骤，形成包含半导体芯片的电子电路；

封装部形成步骤，形成封装所述电子电路和与所述电子电路连接的引线框的一部分且使引线框露出的封装部；

第一去除步骤，将所述引线框加热，且向所述引线框喷射流体而去除毛刺。