[发明专利]沉积用掩模的制造方法在审
申请号: | 201710064161.0 | 申请日: | 2017-02-04 |
公开(公告)号: | CN107424909A | 公开(公告)日: | 2017-12-01 |
发明(设计)人: | 文英慜;任星淳 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/77 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司11204 | 代理人: | 王达佐,刘铮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 沉积 用掩模 制造 方法 | ||
技术领域
本发明的实施方式涉及沉积用掩模的制造方法。
背景技术
通常,有机发光显示装置为平板显示器中的一种,而有机发光显示装置作为有源发光型显示器件,其不仅具有宽视角和优秀的对比度,而且还具有能够以低电压驱动、重量轻且为薄型、响应速度快的优点,因此作为下一代显示器件而备受瞩目。
根据形成发光层的物质,这种发光器件区分为无机发光器件和有机发光器件,而有机发光器件由于其亮度、响应速度等特性相比于无机发光器件优秀并且具有能够进行彩色显示的优点,因此近年来广泛进行着对于有机发光器件的开发。
在有机发光显示装置中,有机膜和/或电极通过真空沉积法形成。然而,随着有机发光显示装置的分辨率逐渐变高,沉积工艺时所使用的掩模的开缝(open slit)的宽度逐渐变窄并且其散布(distribution)也被要求逐渐减少。
此外,为了制造高分辨率的有机发光显示装置,需要减少或消除阴影效应(shadow effect)。为此,在使衬底与掩模紧贴的状态下进行沉积工艺,并且正在致力于开发用于提升衬底与掩模的紧贴度的技术。
上述的背景技术仅仅是发明人为了导出本发明实施方式而保有的、或在导出过程中习得的技术信息,并不一定是在提交本发明实施方式之前对一般公众所公开的公知技术。
发明内容
本发明实施方式提供能够简化沉积用掩模的制造工艺的沉积用掩模的制造方法。
根据本发明一实施方式的沉积用掩模的制造方法使用电铸镀(electroforming)将金属镀层在电极板上来制造包括焊接部、肋部和图案部的沉积用掩模,该方法包括以下步骤:将第一光致抗蚀剂层涂覆在电极板上;向第一光致抗蚀剂层照射光,其中,半色调掩模(half-tone mask)布置在发射光的光源与第一光致抗蚀剂层之间,以在第一光致抗蚀剂层上形成暴露在光下的多个曝光区域,其中,半色调掩模具有阻断光透射的阻断区域、使光透射的透射区域以及使光的一部分透射的一个或多个半透射区域;对多个曝光区域进行显影(developing),以将电极板上的待形成焊接部和肋部中的一个或多个的第一镀层区域暴露至外部;将第一金属层镀层在第一镀层区域上;对第一光致抗蚀剂层进行灰化(ashing),以将电极板上的待形成焊接部、肋部和图案部中的一个或多个的第二镀层区域暴露至外部;将第二金属层镀层在第一金属层和电极板上的第二镀层区上;去除第一光致抗蚀剂层;以及去除电极板。
根据本实施方式,在对多个曝光区域进行显影(developing)的步骤中,可将电极板上的待形成焊接部和肋部的第一镀层区域暴露至外部。
根据本实施方式,在将第一金属层镀层的步骤中,可将第一金属层镀层在电极板上的待形成焊接部和肋部的第一镀层区域上。
根据本实施方式,在对第一光致抗蚀剂层进行灰化(ashing)的步骤中,可将电极板上的待形成图案部的第二镀层区域暴露至外部。
根据本实施方式,在将第二金属层镀层的步骤中,可将第二金属层镀层在待形成焊接部和肋部的第一金属层和电极板上的待形成图案部的第二镀层区域上。
根据本实施方式,在对多个曝光区域进行显影(developing)的步骤中,可将电极板上的待形成肋部的第一镀层区域暴露至外部。
根据本实施方式,在将第一金属层镀层的步骤中,可将第一金属层镀层在电极板上的待形成肋部的第一镀层区域上。
根据本实施方式,在对第一光致抗蚀剂层进行灰化(ashing)的步骤中,可将电极板上的待形成图案部的第二镀层区域暴露至外部。
根据本实施方式,在将第二金属层镀层的步骤中,可将第二金属层镀层在待形成肋部的第一金属层和电极板上的待形成图案部的第二镀层区域上。
根据本实施方式,在去除第一光致抗蚀剂层的步骤之后,该方法还可包括以下步骤:将第二光致抗蚀剂层涂覆在待形成肋部和图案部的电极板和第二金属层上。
根据本实施方式,在涂覆第二光致抗蚀剂层的步骤之后,该方法还可包括以下步骤:将第三金属层镀层在电极板上的待形成焊接部的第三镀层区域上。
根据本实施方式,在将第三金属层镀层的步骤之后,该方法还可包括以下步骤:去除第二光致抗蚀剂层。
根据本实施方式,在对第一光致抗蚀剂层进行灰化(ashing)的步骤中,可将电极板上的待形成焊接部和图案部的第二镀层区域暴露至外部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造