[发明专利]沉积用掩模的制造方法在审
申请号: | 201710064161.0 | 申请日: | 2017-02-04 |
公开(公告)号: | CN107424909A | 公开(公告)日: | 2017-12-01 |
发明(设计)人: | 文英慜;任星淳 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/77 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司11204 | 代理人: | 王达佐,刘铮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 沉积 用掩模 制造 方法 | ||
1.一种沉积用掩模的制造方法,所述方法使用电铸镀将金属镀层在电极板上来制造包括焊接部、肋部和图案部的沉积用掩模,所述方法包括以下步骤:
将第一光致抗蚀剂层涂覆在所述电极板上;
向所述第一光致抗蚀剂层照射光,其中,半色调掩模布置在发射所述光的光源与所述第一光致抗蚀剂层之间,以在所述第一光致抗蚀剂层上形成暴露在光下的多个曝光区域,其中,所述半色调掩模具有阻断光透射的阻断区域、使光透射的透射区域以及使光的一部分透射的一个或多个半透射区域;
对所述多个曝光区域进行显影,以将所述电极板上的待形成所述焊接部和所述肋部中的一个或多个的第一镀层区域暴露至外部;
将第一金属层镀层在所述第一镀层区域上;
对所述第一光致抗蚀剂层进行灰化,以将所述电极板上的待形成所述焊接部、所述肋部和所述图案部中的一个或多个的第二镀层区域暴露至外部;
将第二金属层镀层在所述第一金属层和所述电极板上的所述第二镀层区上;
去除所述第一光致抗蚀剂层;以及
去除所述电极板。
2.如权利要求1所述的沉积用掩模的制造方法,其特征在于,
在对所述多个曝光区域进行显影的步骤中,将所述电极板上的待形成所述焊接部和所述肋部的所述第一镀层区域暴露至外部。
3.如权利要求2所述的沉积用掩模的制造方法,其特征在于,
在将所述第一金属层镀层的步骤中,将所述第一金属层镀层在所述电极板上的待形成所述焊接部和所述肋部的所述第一镀层区域上。
4.如权利要求2所述的沉积用掩模的制造方法,其特征在于,
在对所述第一光致抗蚀剂层进行灰化的步骤中,将所述电极板上的待形成所述图案部的所述第二镀层区域暴露至外部。
5.如权利要求4所述的沉积用掩模的制造方法,其特征在于,
在将所述第二金属层镀层的步骤中,将所述第二金属层镀层在待形成所述焊接部和所述肋部的所述第一金属层和所述电极板上的待形成所述图案部的所述第二镀层区域上。
6.如权利要求1所述的沉积用掩模的制造方法,其特征在于,
在所述对多个曝光区域进行显影的步骤中,将所述电极板上的待形成所述肋部的所述第一镀层区域暴露至外部。
7.如权利要求6所述的沉积用掩模的制造方法,其特征在于,
在将所述第一金属层镀层的步骤中,将所述第一金属层镀层在所述电极板上的待形成所述肋部的所述第一镀层区域上。
8.如权利要求6所述的沉积用掩模的制造方法,其特征在于,
在对所述第一光致抗蚀剂层进行灰化的步骤中,将所述电极板上的待形成所述图案部的所述第二镀层区域暴露至外部。
9.如权利要求8所述的沉积用掩模的制造方法,在去除所述第一光致抗蚀剂层的步骤之后,还包括以下步骤:
将第二光致抗蚀剂层涂覆在待形成所述肋部和所述图案部的所述电极板和所述第二金属层上。
10.如权利要求6所述的沉积用掩模的制造方法,其特征在于,
在对所述第一光致抗蚀剂层进行灰化的步骤中,将所述电极板上的待形成所述焊接部和所述图案部的所述第二镀层区域暴露至外部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造