[发明专利]一种模组化的光电二极管封装器件

说明书

技术领域

本发明涉及了一种模组化的光电二极管封装器件，属于二极管封装技术领域。

背景技术

随着科学技术的不断发展，电子产品更新迭代的速度也在加快，而LED贴片组件也在向小型化、集成化发展。目前市场上LED贴片的封装技术采用铜支架结合塑胶模型组成，当作载体并在其内部用硅胶混合荧光粉封盖LED晶粒及保护组件。

在此市场上的LED贴片封装技术，其产品封装后成品发光角度较小，不发光晶粒设置在发光区域硅胶内，影响发光效率，设计空间占用较多，较不适合小型化的设计需求。

发明内容

为了克服上述缺陷，本发明所要解决的问题是提供一种模组化的光电二极管封装器件，有利于提高产品的发光效率，增大产品的发光角度，减少组件的占用空间，更适合小型化的产品设计需求。

为了解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案是：

一种模组化的光电二极管封装器件，其特征在于：一种模组化的光电二极管封装器件，其特征在于：在基板上设置通孔，并在通孔内设置不发光二极管晶粒，基板与晶粒之间填充环氧树脂；所述基板的下表面设置有下导体层，下导体层与不发光二极管晶粒的下表面连接；基板的上表面设置有上导体层，上导体层连接不发光二极管晶粒上表面；所述基板上表面的上导体层上方设置倒装LED二极管晶粒，倒装LED二极管晶粒的N极与不发光二极管晶粒上方相连的部分上导体层连接，倒装LED二极管晶粒的P极与其余上导体层连接；在基板的上方通过硅胶层包裹封装晶粒及上、下导体层和基板；在基板的两侧面设置端电极，端电极连接上、下导体层；在端电极及下导体层上设置具有焊锡性金属层。

前述的一种模组化的光电二极管封装器件，所述基板为陶瓷材质。

前述的一种模组化的光电二极管封装器件，所述倒装LED晶粒外延层的衬底，其能隙高于发光外延层的能隙。AlInGaN倒装LED芯片的衬底为蓝宝石Al₂O₃； Al_xGa_（1-x）As倒装LED芯片的衬底为Al_yGa_（1-y）As, x>y。

前述的一种模组化的光电二极管封装器件，所述倒装LED晶粒发光波长从300nm到980nm之间，为串联型的集成LED晶粒组成。优选的，所述倒装LED二极管晶粒为串联型的集成AlInGaN LED晶粒组成的倒装晶粒。所述倒装LED芯片发光波长从300nm到550nm之间。

前述的一种模组化的光电二极管封装器件，所述不发光二极管晶粒可设计成梯形截面以降低晶粒重心，防止晶粒侧倾；在其上表面设置银质突块以增加导电性。

前述的一种模组化的光电二极管封装器件，所述不发光二极管晶粒作为倒装LED芯片保护二极管。所述不发光二极管晶粒与倒装LED二极管晶粒以并联电路连接。

前述的一种模组化的光电二极管封装器件，所述硅胶为光学透明硅胶混合荧光粉的混粉胶。

本发明的有益效果是：

1、采用倒装LED晶粒，减少光通量损耗，提升其发光效率；

2、将不发光二极管封装在陶瓷基板内，因陶瓷的导热系数大于环氧树脂，从而大幅提升其散热效率；

3、采用模组化的集成设计，在同一器件中兼具发光组件与电子组件的控制与保护的功能，有效减少产品的占用空间，满足小型化的设计需求。

附图说明

图1是本发明为单颗产品内部结构的立体示意图。

图2是本发明为单颗串联集成LED芯片侧视示意图。

图3是本发明为单颗串联集成LED芯片电路图。

具体实施方式

为进一步阐述本产品的特征，以下结合说明书附图，对本发明的主要结构以及实施方法、步骤作进一步的说明。

如图1所示，一种模组化的光电二极管封装器件，包含：在基板1上设置通孔，并在通孔内设置不发光二极管晶粒2，基板与晶粒之间填充环氧树脂3；所述基板的下表面设置有两块下导体层4，其中一块下导体层与不发光二极管晶粒的下表面连接；基板的上表面设置有两块上导体层5，其中一块上导体层连接不发光二极管晶粒上表面；所述基板上表面的两块上导体层上方设置一颗LED倒装二极管晶粒6，倒装LED二极管晶粒的N极与不发光二极管晶粒上方相连的部分上导体层连接，倒装LED二极管晶粒的P极与其余上导体层连接；在基板的上方通过硅胶层7包裹封装两个晶粒及连接电路；在基板的两侧面设置端电极8，端电极连接上、下导体层；在端电极及下导体层上设置具有焊锡性金属层。