[发明专利]一种阵列基板、阵列基板的制备方法及其显示面板

说明书

技术领域

本申请涉及显示领域，尤其涉及一种阵列基板、阵列基板的制备方法及其显示面板。

背景技术

液晶显示器，由于功耗很低，并且具有高画质、体积小、重量轻的特点，因此倍受大家青睐，成为当前显示器的主流。目前液晶显示器以薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD)为主，其显示面板通常包括相对设置的彩膜基板、阵列基板以及设置于两基板之间的液晶层。

如图1所示，为现有技术的阵列基板的结构示意图，包括：在衬底基板21上依次设置的栅极22、栅极绝缘层23、有源层24、源极25、漏极26以及钝化层27，其中，源极25、漏极26、有源层24和栅极22构成一薄膜晶体管，S10为薄膜晶体管的沟道区。由于钝化层27通常为透明层，外界光照射进薄膜晶体管的沟道区S10时，会使有源层24在沟道区S10的半导体材料产生光生载流子，导致薄膜晶体管TFT的漏电流较大。

现有技术通常采用彩膜基板的黑矩阵对该沟道区进行遮挡，但由于黑矩阵与薄膜晶体管的沟道区距离较远，外界光线还是会有部分照进该沟道区，而若为了更有效的遮光，进一步增大用于遮挡薄膜晶体管沟道区的黑矩阵部分，则又会降低显示面板透光区的比例，导致显示面板的开口率较低的问题。即，现有技术并不能有效降低阵列基板上薄膜晶体管的漏电流，薄膜晶体管仍然存在漏电流较大，以及由阵列基板形成的显示面板充电不足，画面保持率低的问题。

发明内容

本申请提供一种阵列基板、阵列基板的制备方法及其显示面板，以降低阵列基板的薄膜晶体管的漏电流，避免显示面板出现充电不足，画面保持率低的问题。

本申请实施例提供一种阵列基板的制备方法，在衬底基板上依次形成栅极、栅极绝缘层以及有源层的图案之后，所述制备方法还包括：

形成至少在第一区域的厚度大于其它区域的光刻胶层的图案，所述第一区域在所述衬底基板上的正投影至少覆盖有源层的沟道区在所述衬底基板上的正投影；

去除所述第一区域以外其它区域的光刻胶层；

碳化所述第一区域的光刻胶层，形成遮光层的图案。

优选的，在形成至少在第一区域的厚度大于其它区域的光刻胶的图案之前，还包括：

在所述有源层之上形成源漏极的图案，以及在所述源漏极的图案之上形成一钝化层薄膜；

所述形成至少在第一区域的厚度大于其它区域的光刻胶层的图案，具体包括：

形成具有所述第一区域、第二区域、以及与所述源漏极中的漏极对应的过孔的光刻胶层的图案；其中，所述第二区域为除了所述第一区域和所述过孔之外的区域；

在去除所述第一区域以外其它区域的光刻胶层之前，还包括：

通过所述第一区域和所述第二区域的光刻胶层的遮挡，对所述过孔下方的所述钝化层薄膜进行刻蚀，形成所述钝化层的图案。

优选的，在所述碳化所述第一区域的光刻胶层之后，还包括：

形成与所述漏极连接的像素电极。

优选的，所述形成具有所述第一区域、第二区域、以及与所述源漏极中的漏极对应的过孔的光刻胶层的图案，具体包括：

通过半色调掩膜板或灰色调掩膜板，形成具有所述第一区域、第二区域、以及与所述源漏极中的漏极对应的过孔的光刻胶层的图案。

优选的，所述碳化所述第一区域的光刻胶层，具体包括：

在干刻设备中，在源功率为18～25kW，偏压功率为2～10kW，温度为30～60℃，气压为30～50mT，气体流量SF₆为1000～3000sccm，H₂为500～1000sccm，N₂为10000～13000sccm的条件下，对所述第一区域的光刻胶层进行等离子体处理。

本申请实施例还一种阵列基板，包括：在衬底基板上依次设置的栅极、栅极绝缘层以及有源层，还包括：

设置于所述有源层之上的正投影至少覆盖所述有源层的沟道区在所述衬底基板上的正投影的遮光层，所述遮光层的材料为碳化处理后的光刻胶。

优选的，所述阵列基板还包括：设置于所述有源层和所述遮光层之间的源漏极和钝化层；所述源漏极、有源层和栅极构成一薄膜晶体管，所述遮光层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述薄膜晶体管的正投影。

优选的，所述阵列基板还包括：与所述薄膜晶体管的栅极连接的栅线，与所述薄膜晶体管的源漏极中的源极连接的数据线，所述遮光层在所述衬底基板上的正投影还覆盖所述栅线和所述数据线的正投影。