[发明专利]一种阵列基板、阵列基板的制备方法及其显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，在衬底基板上依次形成栅极、栅极绝缘层以及有源层的图案之后，所述制备方法还包括：

形成至少在第一区域的厚度大于其它区域的光刻胶层的图案，所述第一区域在所述衬底基板上的正投影至少覆盖有源层的沟道区在所述衬底基板上的正投影；

去除所述第一区域以外其它区域的光刻胶层；

碳化所述第一区域的光刻胶层，形成遮光层的图案。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在形成至少在第一区域的厚度大于其它区域的光刻胶的图案之前，还包括：

在所述有源层之上形成源漏极的图案，以及在所述源漏极的图案之上形成一钝化层薄膜；

所述形成至少在第一区域的厚度大于其它区域的光刻胶层的图案，具体包括：

形成具有所述第一区域、第二区域、以及与所述源漏极中的漏极对应的过孔的光刻胶层的图案；其中，所述第二区域为除了所述第一区域和所述过孔之外的区域；

在去除所述第一区域以外其它区域的光刻胶层之前，还包括：

通过所述第一区域和所述第二区域的光刻胶层的遮挡，对所述过孔下方的所述钝化层薄膜进行刻蚀，形成所述钝化层的图案。

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在所述碳化所述第一区域的光刻胶层之后，还包括：

形成与所述漏极连接的像素电极。

4.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述形成具有所述第一区域、第二区域、以及与所述源漏极中的漏极对应的过孔的光刻胶层的图案，具体包括：

通过半色调掩膜板或灰色调掩膜板，形成具有所述第一区域、第二区域、以及与所述源漏极中的漏极对应的过孔的光刻胶层的图案。

5.如权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，所述碳化所述第一区域的光刻胶层，具体包括：

在干刻设备中，在源功率为18～25kW，偏压功率为2～10kW，温度为30～60℃，气压为30～50mT，气体流量SF₆为1000～3000sccm，H₂为500～1000sccm，N₂为10000～13000sccm的条件下，对所述第一区域的光刻胶层进行等离子体处理。

6.一种阵列基板，其特征在于，包括：在衬底基板上依次设置的栅极、栅极绝缘层以及有源层，还包括：

设置于所述有源层之上的正投影至少覆盖所述有源层的沟道区在所述衬底基板上的正投影的遮光层，所述遮光层的材料为碳化处理后的光刻胶。

7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，还包括：设置于所述有源层和所述遮光层之间的源漏极和钝化层；所述源漏极、有源层和栅极构成一薄膜晶体管，所述遮光层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述薄膜晶体管的正投影。

8.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，还包括：与所述薄膜晶体管的栅极连接的栅线，与所述薄膜晶体管的源漏极中的源极连接的数据线，所述遮光层在所述衬底基板上的正投影还覆盖所述栅线和所述数据线在所述衬底基板上的正投影。

9.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述光刻胶为正性透明光刻胶、正性透明光刻胶中掺入黑色颜料的光刻胶、负性黑色光刻胶、负性红色光刻胶、负性绿色光刻胶、负性蓝色光刻胶或负性白色光刻胶。

10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求6-9任一项所述的阵列基板。