[发明专利]一种显示面板及其封装方法在审
申请号: | 201710002575.0 | 申请日: | 2017-01-03 |
公开(公告)号: | CN106711152A | 公开(公告)日: | 2017-05-24 |
发明(设计)人: | 全威;刘晴 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L21/56 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人: | 任嘉文 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 及其 封装 方法 | ||
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及其封装方法。
背景技术
近年来显示面板的发展取得了突破性进展,显示面板的封装技术是提高显示面板的稳定性和寿命的关键制程。
参见图1,目前大尺寸显示面板最常用的封装方法之一就是薄膜封装(TFE),因氮化硅(SiNx)薄膜密封性优良,使SiNx成为使用最为广泛的封装薄膜之一,目前的低温成膜工艺虽然温度比较低,但是在镀膜过程中还是会产生高温,影响器件性能,同时粉尘(particle)的产生也影响器件的良率和稳定性。
发明内容
本申请实施例提供了一种显示面板及其封装方法,用以降低对显示面板进行封装过程中产生的温度,避免高温对器件的性能损伤,并且将粉尘吹走,避免粉尘对产品器件的影响,从而提高产品良率和稳定性。
本申请实施例提供的一种显示面板的封装方法,包括在显示面板上制备封装薄膜,在制备所述封装薄膜的过程中,至少通入一次用于降温的气体。
通过本申请实施例提供的该封装方法,在制备所述封装薄膜的过程中,至少通入一次用于降温的气体,从而可以降低对显示面板进行封装过程中的器件温度,避免高温对器件的性能损伤,并且所述气体还可以将粉尘吹走,避免粉尘对产品器件的影响,从而提高产品良率和稳定性。
可选地,所述显示面板的封装薄膜包括多层,在每层封装薄膜制备完成时,均通入用于降温的气体。
可选地,所述显示面板的封装薄膜包括多层,每制备完成预设厚度的封装薄膜,通入一次用于降温的气体。
可选地,所述预设厚度为100nm。
可选地,在制备所述封装薄膜的过程中,按照预设周期,通入用于降温的气体。
可选地,所述气体为惰性气体。
可选地,所述惰性气体为氮气。
可选地,每次通入所述气体的持续时长为预设时长。
可选地,在封装薄膜表面的正上方,均匀通入所述气体。
本申请实施例提供的一种显示面板,采用本申请实施例提供的所述的封装方法进行封装得到。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域的普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中的对OLED面板进行封装的示意图;
图2为本申请实施例提供的显示面板的封装薄膜的位置示意图;
图3为本申请实施例提供的封装薄膜的结构示意图;
图4为本申请实施例提供的OLED面板的封装薄膜的结构示意图;
图5为本申请实施例提供的对封装薄膜进行通入气体的示意图;
图6为本申请实施例提供的对OLED面板的封装薄膜进行通入气体的示意图。
具体实施方式
本申请实施例提供了一种显示面板及其封装方法,用以降低对显示面板进行封装过程中产生的温度,避免高温对器件的性能损伤,并且将粉尘吹走,避免粉尘对产品器件的影响,从而提高产品良率和稳定性。
参见图2,显示面板包括玻璃基板201、设置在玻璃基板201之上的显示器件202,以及封装在显示器件202之上的封装薄膜203。
其中,所述的显示器件202,例如可以是OLED器件,也可以是其他类型的显示器件等。
本申请实施例所述的封装薄膜203,目前使用比较广泛的就是SiNx薄膜,本申请实施例采用分阶段的制备封装薄膜203,而现有技术中是一次完成封装薄膜制备,没有分阶段进行。
参见图3,本申请实施例所述的封装薄膜203,在虚线以上的部分,可以分为多层,例如包括三层,分别是第一层21、第二层22、第三层23。
每一层都可以是氮化硅层,例如,如图4所示,在OLED器件之上分别设置有第一SiNx层SiNx-1、第二SiNx层SiNx-2和第三SiNx层SiNx-3。
那么,本申请实施例提供的一种显示面板的封装方法,包括在显示面板上制备封装薄膜,在制备所述封装薄膜的过程中,至少通入一次用于降温的气体。
例如,可选地,所述显示面板的封装薄膜包括多层,在每层封装薄膜制备完成时,均通入用于降温的气体。
或者,可选地,所述显示面板的封装薄膜包括多层,每制备完成预设厚度的封装薄膜,通入一次用于降温的气体。
可选地,所述预设厚度为100nm,当然也可以为其他厚度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的