[发明专利]显示基板及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 201710001269.5 | 申请日: | 2017-01-03 |
公开(公告)号: | CN106711151B | 公开(公告)日: | 2019-09-06 |
发明(设计)人: | 宫奎;尹洋植;李纪龙;董必良 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;刘伟 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制作方法 显示装置 | ||
本发明涉及显示技术领域,公开了一种显示基板及其制作方法、显示装置。所述制作方法在通过光刻工艺在绝缘层中形成过孔时,未剥离剩余的光刻胶,并通过镀膜工艺在所述光刻胶上和过孔中形成导电镀膜,然后剥离光刻胶,同时去除光刻胶上的导电镀膜,形成导电镀膜的图形。由于镀膜工艺制得的导电镀膜能够附着在过孔的整个侧壁和底部,不会发生断层,可以在过孔中形成导电性良好的电性连接结构。当位于绝缘层两侧的导电结构通过绝缘层中的过孔电性连接时,位于过孔中的电性连接结构能够可靠电连接导电结构,克服存在底切不良的过孔造成的电性不良问题,提高产品良率。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种显示基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
目前,在薄膜晶体管液晶显示器件的制作过程中,在覆盖薄膜晶体管顶部的钝化层制作完成后,需要利用干法刻蚀技术在所述钝化层上形成过孔;最后在钝化层表面形成像素电极,其中,像素电极通过所述钝化层中的过孔与薄膜晶体管漏电极电连接。
传统的制作工艺中,钝化层的材质通常会选择SiNx,并将钝化层分为三层:过渡层11'、主体层12'和顶层13'。顶层13'的作用是等离子体刻蚀的缓冲层,主要作用是使过孔达到一定的坡度角和尺寸,顶层13'的密度较小。一般情况下过渡层11'的刻蚀速率要低于其他两层:过渡层11'<顶层13'<主体层12'。当采用等离子体刻蚀钝化层时,顶层13'较疏松比较容易使等离子体进入,达到刻蚀的目的,而当刻蚀到过渡层11'时由于刻蚀速率与主体层12'不同会产生缩进,也就是底切不良。底切不良会造成像素电极14'与漏电极10'之间接触断开,导致显示异常或无法显示,降低TFT产品的良率,如图1所示。
发明内容
本发明提供一种显示基板及其制作方法、显示装置,用以解决绝缘层中的过孔存在底切不良,造成不同层的导电结构通过所述过孔电性连接时存在电性连接不良的问题。
为解决上述技术问题,本发明实施例中提供一种显示基板的制作方法,包括:
形成一绝缘层;
在所述绝缘层上形成光刻胶,对所述光刻胶进行曝光显影,形成光刻胶保留区域和光刻胶不保留区域;
去除所述光刻胶不保留的绝缘层,形成一过孔;
剥离剩余的光刻胶,其中,在剥离剩余的光刻胶之前,所述制作方法还包括:
通过镀膜工艺在所述光刻胶上和过孔中形成一导电镀膜;
所述剥离剩余的光刻胶的工艺同时去除光刻胶上的导电镀膜,形成所述导电镀膜的图形,所述导电镀膜包括位于所述过孔的侧壁的第一部分和位于所述过孔的底部第二部分,所述第一部分和第二部分为一体结构,形成一电性连接结构。
本发明实施例中还提供一种利用如上所述的制作方法制得的显示基板,包括绝缘层,所述绝缘层中具有一过孔,还包括:
导电镀膜,所述导电镀膜包括位于所述过孔的侧壁的第一部分和位于所述过孔的底部的第二部分,所述第一部分和第二部分为一体结构,形成一电性连接结构,所述导电镀膜通过镀膜工艺制得。
本发明实施例中还提供一种显示装置,包括如上所述的显示基板。
本发明的上述技术方案的有益效果如下:
上述技术方案中,在通过光刻工艺在绝缘层中形成过孔时,未剥离剩余的光刻胶,并通过镀膜工艺在所述光刻胶上和过孔中形成导电镀膜,然后剥离光刻胶,同时去除光刻胶上的导电镀膜,形成导电镀膜的图形。由于镀膜工艺制得的导电镀膜能够附着在过孔的整个侧壁和底部,不会发生断层,可以在过孔中形成导电性良好的电性连接结构。当位于绝缘层两侧的导电结构通过绝缘层中的过孔电性连接时,位于过孔中的电性连接结构能够可靠电连接导电结构,克服存在底切不良的过孔造成的电性不良问题,提高产品良率。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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