[发明专利]形成含钴膜的组合物、其合成、以及在膜沉积中的用途有效
| 申请号： | 201680074877.2 | 申请日： | 2016-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN108431295B | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 伽蒂诺谕子;木村美喜子;克里斯汀·杜斯拉特;让-马克·吉拉尔;尼古拉斯·布拉斯科 | 申请（专利权）人： | 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/18 | 分类号： | C23C16/18;C23C16/34;C23C16/42;C23C16/455;C07F9/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 张蓉珺;林柏楠 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 含钴膜 组合 合成 以及 沉积 中的 用途 | ||
1.一种将含Co层沉积在基板上的方法，该方法包括将形成含Co膜的组合物的蒸气引入至其中布置有基板的反应器中，其中这些形成含Co膜的组合物包含选自Co[N(SiMe3)2]2(NMe2Et)、Co[N(SiMe3)2]2(NMeEt2)、或其组合的含甲硅烷基酰胺的前体；并且使用气相沉积法使该含甲硅烷基酰胺的前体的至少一部分沉积到基板上以形成该含Co层。
2.如权利要求1所述的方法，其中该含甲硅烷基酰胺的前体是Co[N(SiMe3)2]2(NMe2Et)。
3.如权利要求1所述的方法，其中该含甲硅烷基酰胺的前体是Co[N(SiMe3)2]2(NMeEt2)。
4.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中该含Co层是Co。
5.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中该含Co层是CoSi2。
6.如权利要求4所述的方法，其中该基板是SiO2。
7.如权利要求5所述的方法，其中该基板是SiO2。
8.如权利要求5所述的方法，其中该基板是Si。
9.一种将含Co层沉积在基板上的方法，该方法包括：
将包含形成含Co膜的组合物的形成含Co膜的组合物递送装置流体地连接到气相沉积室，其中该形成含Co膜的组合物包含选自Co[N(SiMe3)2]2(NMe2Et)、Co[N(SiMe3)2]2(NMeEt2)、或其组合的含甲硅烷基酰胺的前体；
将该形成含Co膜的组合物递送装置加热至产生在27帕与200帕之间的该形成含Co膜的组合物的蒸气压的温度；
将形成含Co膜的组合物的蒸气递送到该其中布置有基板的气相沉积室中；并且
使用气相沉积法使该含甲硅烷基酰胺的前体的至少一部分沉积到基板上以形成该含Co层。
10.如权利要求9所述的方法，进一步包括将该形成含Co膜的组合物递送装置维持在该温度下持续范围从2周至12个月的时间。
11.如权利要求9或10所述的方法，其中该含甲硅烷基酰胺的前体是Co[N(SiMe3)2]2(NMe2Et)。
12.一种形成含钴膜的组合物，该组合物包含选自Co[N(SiMe3)2]2(NMe2Et)、Co[N(SiMe3)2]2(NMeEt2)、或其组合的含甲硅烷基酰胺的前体，并且在80℃下2周之后具有小于5％的剩余质量的通过热重分析表明的热稳定性。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
