[发明专利]通过集成工艺流程系统形成低电阻触点的方法在审

申请号：	201680069176.X	申请日：	2016-11-22
公开（公告）号：	CN108431924A	公开（公告）日：	2018-08-21
发明（设计）人：	雷雨;维卡什·班西埃;吴凯;傅新宇;徐毅;大东和也;马飞跃;普及特·阿咖瓦;林驰筹;吴典晔;简国强;唐薇;薇·V·唐;乔纳森·巴克;森德·拉马默蒂	申请（专利权）人：	应用材料公司
主分类号：	H01L21/02	分类号：	H01L21/02;H01L21/205;H01L21/285
代理公司：	北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006	代理人：	徐金国;赵静
地址：	美国加利***	国省代码：	美国;US
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摘要：
搜索关键词：	衬垫层基板暴露沉积等离子体介电层基板卤化工艺流程系统金属有机钨前驱物气体处理基板处理腔室第二基板第一表面第一基板金属触点气体形成特征形成钨前驱物钨填充层处理腔低电阻氟化钨前驱物触点室内
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【权利要求书】：

1.一种处理基板的方法，包括以下步骤：

在第一基板处理腔室内将基板暴露至等离子体以沉积钨衬垫层，所述等离子体是由第一气体形成，所述第一气体包括金属有机钨前驱物气体或无氟卤化钨前驱物，其中所述钨衬垫层沉积在介电层顶上且于特征内，所述特征形成在基板的所述介电层的第一表面中；

将所述基板传送到第二基板处理腔室而不将所述基板暴露至大气；和

将所述基板暴露至第二气体以在所述钨衬垫层顶上沉积钨填充层，所述第二气体包括氟化钨前驱物。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述钨衬垫层具有约10埃至约50埃的厚度。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述第一气体进一步包括含氢气体。

4.如权利要求3所述的方法，其中所述含氢气体是氢(H₂)或氨(NH₃)。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述第一气体进一步包括载气。

6.如权利要求5所述的方法，其中所述载气是氩、氦、或氮。

7.如权利要求1至6中任一项所述的方法，其中所述金属有机钨前驱物气体是W(CO)₆、CpW(CO)₂NO、EtCpW(CO)₂NO、Cp*W(CO)₃NO、Cp₂WH₂、C₄H₉CNW(CO)₅、(C₅H₁₁CN)W(CO)₅、W(C₃H₅)₄、W(C₃H₄CH₃)₄、W(C₄H₆)₃、W(C₄H₆)₂(CO)₂、或W(C₄H₆)(CO)₄。