[发明专利]研磨用组合物

说明书

本发明提供一种可实现表面缺陷的抑制和雾度的降低的研磨用组合物。研磨用组合物包含磨粒、选自具有1，2‑二醇结构单元的乙烯醇系树脂中的至少一种水溶性高分子、多元醇、以及碱化合物。研磨用组合物优选进一步包含非离子性表面活性剂。

技术领域

本发明涉及一种研磨用组合物。

背景技术

利用CMP(Chemical Mechanical Polishing，化学机械研磨)的硅晶片的研磨通过进行3阶段或4阶段的多阶段研磨而实现高精度的平坦化。对于在最终阶段的研磨工序中所使用的浆料，通常使用羟乙基纤维素(HEC)和聚乙烯醇(PVA)等水溶性高分子。

例如，在日本专利特开2012-216723号公报中公开有如下研磨用组合物，其包含选自具有1，2-二醇结构单元的乙烯醇系树脂中的至少1种水溶性高分子、以及碱。

发明内容

然而，近年来，要求以更严格的水平抑制表面缺陷、降低表面的雾度(haze)。

本发明为了解决该问题而完成，其目的在于提供一种可降低表面缺陷和雾度的研磨用组合物。

根据本发明的实施形态，研磨用组合物包含磨粒、选自具有下述式(1)所表示的1，2-二醇结构单元的乙烯醇系树脂中的至少1种水溶性高分子、多元醇、以及碱化合物。

式中，R¹、R²和R³分别独立地表示氢原子或有机基团，X表示单键或键链，R⁴、R⁵和R⁶分别独立地表示氢原子或有机基团，R⁷和R⁸分别独立地表示氢原子。

根据本发明的实施形态，研磨用组合物包含磨粒、选自具有上述式(1)所表示的1，2-二醇结构单元的乙烯醇系树脂中的至少1种水溶性高分子、多元醇、以及碱化合物，因此可实现研磨后的硅晶片的表面缺陷的抑制和雾度的降低。

具体实施方式

对本发明的实施形态进行详细说明。

本发明的实施形态的研磨用组合物COMP1包含磨粒、选自具有下述式(1)所表示的1，2-二醇结构单元的乙烯醇系树脂中的至少1种水溶性高分子、多元醇、以及碱化合物。

[化学式1]

式中，R¹、R²和R³分别独立地表示氢原子或有机基团，X表示单键或键链，R⁴、R⁵和R⁶分别独立地表示氢原子或有机基团，R⁷和R⁸分别独立地表示氢原子。

研磨用组合物COMP1用于硅的研磨。

作为磨粒，可以使用该领域中常用的磨粒，例如可列举胶体二氧化硅、气相二氧化硅、胶体氧化铝、气相氧化铝和氧化铈等，特别优选为胶体二氧化硅或气相二氧化硅。

上式(1)所表示的水溶性高分子是改性聚乙烯醇(改性PVA)。作为改性PVA，可以使用高皂化型的PVA，也可以使用低皂化型的PVA。另外，作为改性PVA，可以使用任意聚合度的PVA。作为改性PVA，单独配合1种或配合2种以上均可。

水溶性高分子的含量并不限定于此，以相对于研磨组合物(原液)整体的重量％计，例如为0.01～1.0重量％，优选为0.03～0.7重量％。另外，以相对于磨粒1重量份的比例计，例如为0.001～0.1重量份，优选为0.003～0.07重量份。