[实用新型]一种硅片表面氧化的装置有效
| 申请号: | 201621436574.4 | 申请日: | 2016-12-26 |
| 公开(公告)号: | CN206432239U | 公开(公告)日: | 2017-08-22 |
| 发明(设计)人: | 陈伟;孔群;杨玉生;姜春潮 | 申请(专利权)人: | 常州好时新能源有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司: | 南京钟山专利代理有限公司32252 | 代理人: | 倪青华 |
| 地址: | 213000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 硅片 表面 氧化 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及硅片氧化设备技术领域,具体为一种硅片表面氧化的装置。
背景技术
目前,由于光伏组件中的重要辅料 EVA 容易水解产生醋酸,醋酸与玻璃中的钠盐反应,导致钠离子迁移到光伏组件中的电池表面,影响电池性能,并导致组件功率衰减,也即引起组件 PID 衰减。为克服该种问题,现有光伏组件制备抗 PID 层的方法主要有:1、通过提高氮化硅膜的折射率来达到光伏组件抗 PID 的目的,该种方法在使用的不足是 :(1)、会影响光伏组件的光电转化效率 0.1% --0.15%,(2)、在电池片上容易产生手套印、滚轮印等脏污问题,影响产品质量,因为其不少工序是人工通过手完成;(3)、生产效率较低:2、通过紫外线激发形成 SiO2 氧化层,该方法存在的不足是 :臭氧产量低,氧化不均匀,制出的产品质量不太好。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种硅片表面氧化的装置,以解决上述背景技术中提出的问题,所具有的有益效果是:本实用新型具有操作简单、占地面积小、生产率高等优点。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种硅片表面氧化的装置,包括甩干机箱体、密封盖、臭氧发生器箱体、电动机和内桶,所述甩干机箱体顶部安装有密封盖,且密封盖内部设置有喷淋装置,所述喷淋装置的左边固定有进水管,且进气管安装在喷淋装置的右边,所述进气管与臭氧发生器箱体连接,所述甩干机箱体内部设置有内桶,且内桶四周固定有硅片承载装置,所述内桶底部与电动机连接,且出水管固定在电动机右边,所述甩干机箱体正表面设置有控制面板,且控制面板上方固定有第一电源按钮,所述第一电源按钮左边设置有指示灯,所述臭氧发生器箱体上方,设置有第一电流表,且第一电流表右边设置有报警器,所述报警器右边安装有第二电流表,且第二电流表下方设置有第二电源按钮,所述第二电源按钮左边设置有第二工作按钮,所述第二工作按钮左边安装有第一工作按钮,所述臭氧发生器箱体下方安装有箱门。
优选的,所述喷淋装置底部设置有喷淋孔。
优选的,所述进水管、进气管和出水管上均安装有电磁阀。
优选的,所述内桶上设置有脱水孔。
优选的,所述甩干机箱体和臭氧发生器箱体底部均安装有支撑腿。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:该设备使用寿命长,维护成本低,不会产生氮氧化物等污染成分,稳定可靠,而且该设备能耗非常低,设备运行功率不超过500瓦,运行成本低廉,此外,该设备操作简单、占地面积小、生产率高,生产成本低,稳定性好也是其一大优点,因此该设备具有良好的市场前景。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图;
图2为本实用新型的甩干机结构示意图;
图3为本实用新型的喷淋装置结构示意图。
图中:1-甩干机箱体;2-进水管;3-电磁阀;4-密封盖;5-喷淋装置;6-进气管;7-第一电流表;8-报警器;9-第二电流表;10-臭氧发生器箱体;11-第二工作按钮;12-第二电源按钮;13-第二工作按钮;14-箱门;15-电动机;16-出水管;17-硅片承载装置;18-内桶;19-指示灯;20-第一电源按钮;21-控制面板;22-喷淋孔。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





