[实用新型]IC集成封装用陶瓷基板结构

说明书

技术领域

本实用新型属于IC芯片封装技术领域，尤其涉及IC集成封装用陶瓷基板结构。

背景技术

COB为Chip On Board的缩写，即板上芯片器，工艺过程首先是在基底表面用导热环氧树脂(一般用掺银颗粒的环氧树脂)覆盖硅片安放点，然后将硅片直接安放在基底表面，热处理至硅片牢固地固定在基底为止，随后再用丝焊的方法在硅片和基底之间直接建立电气连接；传统LED灯珠COB产品的日益成熟，但是随着客户对COB产品要求降低成本，体积缩小，高转换效率，逐渐的出现了把IC芯片和LED封装到一起的新型IC集成封装的新型LED灯珠。

但产品的适应性较差，仅适用于单一规格瓦数，设计的LED灯珠瓦数变更时，需更设计和更换陶瓷基板，造成资源浪费。

实用新型内容

为要解决的上述问题，针对以上问题，本实用新型提供IC集成封装用陶瓷基板结构，可以适用于多种瓦数，有效的解决因为瓦数不同导致多种陶瓷基板的情况，达到合理高效统一的目的。

本实用新型的技术方案：IC集成封装用陶瓷基板结构，包括基板、蚀刻线路、LED发光芯片放置区、驱动芯片放置区、元件焊接放置区、接触点和电源，其特征在于所述基板内置所述蚀刻线路，所述LED发光芯片放置区、所述驱动芯片放置区、所述元件焊接放置区、所述接触点和电源均设置在所述基板上，所述LED发光芯片放置区内放置多个LED发光芯片，所述驱动芯片放置区放置有驱动芯片，所述电源通过桥式整流器经过蚀刻线路与所述驱动芯片连接，所述LED发光芯片放置区外设置导通线路区,所述元件焊接放置区为多个，每个所述焊接放置区的周边设置接触点，所述蚀刻线路连通所述元件焊接放置区，所述蚀刻线路汇总区连接地线。

所述元件焊接放置区和所述接触点上均设置镀银层，所述镀银层为0.1-0.5mm，所述LED发光芯片放置区内放置多个LED发光芯片的10-18W，所述元件焊接放置区放置元器件，所述元器件为多个均与所述驱动芯片连接，所述基板为陶瓷基板。

所述基板的尺寸30mm x 30mm，所述元器件为电容和电阻，所述电阻包扩采样电阻、调节电阻和外部电阻，所述采样电阻为2.0-4.0兆欧，所述调节电阻为10-20千欧，所述外部电阻为80-200千欧。

本实用新型的有益效果：设计合理，可以适用于多种瓦数，有效的解决安装不同LED灯珠瓦数需配套导致不同陶瓷基板的情况，达到合理高效统一的目的，应用和安装简单方便。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图。

图中，1、基板，2、蚀刻线路，3、LED发光芯片放置区，4、驱动芯片放置区，5、元件焊接放置区，6、接触点，7、LED发光芯片，8、驱动芯片，9、导通线路区，10、蚀刻线路汇总区、11、电源。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做出说明。

IC集成封装用陶瓷基板结构，包括基板、蚀刻线路、LED发光芯片放置区、驱动芯片放置区、元件焊接放置区、接触点和电源，基板内置蚀刻线路，LED发光芯片放置区、驱动芯片放置区、元件焊接放置区、接触点和电源均设置在基板上，LED发光芯片放置区内放置多个LED发光芯片，驱动芯片放置区放置有驱动芯片，电源通过桥式整流器经过蚀刻线路与驱动芯片连接，LED发光芯片放置区外设置导通线路区,元件焊接放置区为多个，每个焊接放置区的周边设置接触点，蚀刻线路连通元件焊接放置区，蚀刻线路汇总区连接地线。

元件焊接放置区和所述接触点上均设置镀银层，镀银层为0.1-0.5mm，LED发光芯片放置区内放置多个LED发光芯片的10-18W，元件焊接放置区放置元器件，元器件为多个均与驱动芯片连接，基板为陶瓷基板。

所述基板的尺寸30mm x 30mm，所述元器件为电容和电阻，所述电阻包扩采样电阻、调节电阻和外部电阻，所述采样电阻为2.0-4.0兆欧，所述调节电阻为10-20千欧，所述外部电阻为80-200千欧。

使用例：把所有把传统意义上使用的外置电源的元器件同LED发光体设计到一个平面上，LED发光体由多个LED发光芯片组成，陶瓷基板内置蚀刻线路，陶瓷基板的尺寸30mm x 30mm，线路设计的尺寸，最大限度的解决电流在传输过程散热的问题LED发光芯片放置区域内放置多个LED发光芯片为10-18W，根据客户的需求进行调整，可以根据客户的要求最大做到18W，同时元件焊接放置区内放置的每个元器件周边都专门设计的接触点，