[实用新型]具有高散热性能的新型功率半导体器件有效
| 申请号： | 201620990488.1 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN206332019U | 公开（公告）日： | 2017-07-14 |
| 发明（设计）人： | 刘坚 | 申请（专利权）人： | 福建合顺微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/373;H01L23/13 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350000 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 散热 性能 新型 功率 半导体器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有高散热性能的新型功率半导体器件，包括芯片连接座板，所述芯片连接座板上侧设置有包覆在芯片和连接座上侧的粘结料及连接座板两侧端的塑胶体，其特征在于：所述芯片连接座板为铜，芯片连接座板上侧形成凹凸连结面，形成热或机械应力引起的形变消减和补偿面，所述的凹凸面能够增加芯片通过粘结料与连接座板的连结面积和连结紧密度。
2.根据权利要求1所述的具有高散热性能的新型功率半导体器件，其特征在于：所述塑胶体上设有引脚伸出端。
3.根据权利要求1所述的具有高散热性能的新型功率半导体器件，其特征在于，所述芯片连接板与塑胶体之间设置有密封层，所述半导体芯片均位于密封层内。
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