[实用新型]一种半导体GPP整流芯片

说明书

技术领域

本实用新型主要涉及半导体芯片领域，具体是一种半导体GPP整流芯片。

背景技术

在半导体芯片制作的过程中，芯片的漏电流是不可避免的，目前所销售的 GPP芯片多为方形，部分为六角形，芯片的漏电流会随着芯片的温度提高而增加 放大，随着漏电流的增加放大会导致芯片的损坏失效或是严重的炸管，抗反向 浪涌电流能力差，可靠性能差。

另外，现有GPP芯片的晶片，普遍采用从凹槽底切割划片的分裂方案，存 在以下两方面的问题：一是切割刀片在凹槽内切割时易造成硅的隐裂，这种隐 裂在材料中逐渐扩展；二是由于切割点距离PN结很近，因此容易造成结的损伤， 从而容易导致芯片钝化层隐裂而导致器件寿命降低或最终失效，所以减小半导 体芯片的漏电流对成品芯片的性能和可靠性有着很重要的作用。

实用新型内容

为解决现有技术中的不足，本实用新型提供一种半导体GPP整流芯片，芯 片的第二台面为圆形周边开槽圆润漏电小，避免了现有的正方形和正六边形的 GPP整流芯片由于边角处电流集中而发生芯片边角处被提前击穿而失效的情况， 提高了GPP整流芯片的抗反向电流的能力，同时设置切割保护区，避免了现有 技术中在切割凹槽底部的过程中对芯片的PN结造成的应力损伤。

本实用新型为实现上述目的，通过以下技术方案实现：

一种半导体GPP整流芯片，包括整流基材，所述整流基材包括第一台面和 第二台面，所述第一台面围绕第二台面，所述第二台面的高度与第一台面的高 度相同，所述第二台面为圆形，所述第一台面为方形，且自第二台面所在的平 面至整流基材的底面的部分为方形，所述第二台面与第一台面之间设置切割保 护区，所述第二台面的边沿设置环形凹槽，所述环形凹槽内从上向下依次设置 缓冲层、钝化层、第一保护层，所述第一保护层由环形凹槽的底部向上延伸至 第二台面的顶端，所述缓冲层、钝化层由第一台面的顶端沿环形凹槽的侧壁延 伸至第二台面的顶端。

所述钝化层、第一保护层的底部以及钝化层、第一保护层靠近第二台面的 一侧均为弧形。

所述第二台面和整流基材的底面均覆盖第二保护层。

所述第二保护层包括由内到外依次覆盖的合金层、镀镍层和金属层。

所述第一保护层包括含氧多晶硅层和氮化硅层，所述氮化硅层位于含氧多 晶硅层和钝化层之间。

所述缓冲层的顶端与第一台面、第二台面的连接处高于第二台面形成凸起。

对比与现有技术，本实用新型有益效果在于：

1、本实用新型第一台面为方形在制备整流基材时，便于将整个晶片进行切 割，第二台面为圆形，避免了现有的正方形和正六边形的GPP整流芯片由于边 角处电流集中而发生芯片边角处被提前击穿而失效的情况，提高了GPP整流芯 片的抗反向电流的能力，第一台面和第二台面之间设置切割保护区，避免了现 有技术中在切割凹槽底部的过程中对芯片PN结造成的应力损伤，环形凹槽内设 置缓冲层、钝化层、第一保护层，能够对PN结起到的钝化、保护作用，使得芯 片品质有很好地保证。

2、本实用新型钝化层、第一保护层的底侧和靠近第二台面的一侧均为弧形， 能够增加钝化层、第一保护层的表面积，增加对PN结的钝化、保护作用。

3、本实用新型第二台面和整流基材的底面均覆盖第二保护层，增加GPP 整流芯片的可焊性和电流的通过能力，对第二台面和整流基材进行有效的保护。

4、本实用新型第二保护层包括由内到外依次覆盖的合金层、镀镍层和金属 层，合金层增加抗拉力，镀镍层增加导电性和外层金属的可镀性，金属层增加 可焊性和提高通过电流的能力。

5、本实用新型第一保护层包括含氧多晶硅层和氮化硅层，所述氮化硅位于 含氧多晶硅层和钝化层之间，多晶硅层和氮化硅层相互配合保护PN结，进一步 提高芯片抗反向电压冲击能力。

6、本实用新型缓冲层的顶端的与第一台面、第二台面的连接处高于第二台 面形成凸起，增加缓冲层与第一台面、第二台面的连接稳固性，防止缓冲层从 环形凹槽内脱落。

附图说明

附图1是本实用新型的结构示意图；

附图2是本实用新型的剖视图；

附图3是本实用新型晶片的结构示意图；

附图4是附图2的I处放大图。