[实用新型]一种半导体GPP整流芯片

权利要求书

1.一种半导体GPP整流芯片，包括整流基材(1)，所述整流基材(1)包括第 一台面(2)和第二台面(3)，所述第一台面(2)围绕第二台面(3)，其特 征在于：所述第二台面(3)的高度与第一台面(2)的高度相同，所述第 二台面(3)为圆形，所述第一台面(2)为方形，且自第二台面(3)所在 的平面至整流基材(1)的底面的部分为方形，所述第二台面(3)与第一台 面(2)之间设置切割保护区(4)，所述第二台面(3)的边沿设置环形凹槽 (5)，所述环形凹槽(5)内从上向下依次设置缓冲层(51)、钝化层(52)、 第一保护层，所述第一保护层由环形凹槽(5)的底部向上延伸至第二台面 (3)的顶端，所述缓冲层(51)、钝化层(52)由第一台面(2)的顶端沿 环形凹槽(5)的侧壁延伸至第二台面(3)的顶端。

2.根据权利要求1所述的一种半导体GPP整流芯片，其特征在于：所述钝化层 (52)、第一保护层的底部以及钝化层(52)、第一保护层靠近第二台面(3) 的一侧均为弧形。

3.根据权利要求1所述的一种半导体GPP整流芯片，其特征在于：所述第二台 面(3)和整流基材(1)的底面均覆盖第二保护层(6)。

4.根据权利要求3所述的一种半导体GPP整流芯片，其特征在于：所述第二保 护层(6)包括由内到外依次覆盖的合金层(61)、镀镍层(62)和金属层(63)。

5.根据权利要求1所述的一种半导体GPP整流芯片，其特征在于：所述第一保 护层包括含氧多晶硅层(53)和氮化硅层(54)，所述氮化硅层(54)位于 含氧多晶硅层(53)和钝化层(52)之间。

6.根据权利要求1所述的一种半导体GPP整流芯片，其特征在于：所述缓冲层 (51)的顶端与第一台面(2)、第二台面(3)的连接处高于第二台面(3) 形成凸起。