[发明专利]一种芯片及其封装方法在审
申请号: | 201611246746.6 | 申请日: | 2016-12-29 |
公开(公告)号: | CN106783642A | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 陈峰;陆原 | 申请(专利权)人: | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/488;H01L21/60 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人: | 孟金喆,胡彬 |
地址: | 214000 江苏省无锡市新区太湖国*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 芯片 及其 封装 方法 | ||
1.一种芯片封装方法,其特征在于,包括:
在晶片的电极上形成导电凸点,将所述晶片贴附在贴片膜上并将所述晶片切割为多个芯片,其中,所述电极位于所述晶片的正面,所述晶片的正面与所述贴片膜贴合;
拉伸所述贴片膜以使贴附在所述贴片膜上的任意相邻两个所述芯片之间具有间隙;
在所述多个芯片的背离所述贴片膜的第一表面上形成第一绝缘层,以及去除所述贴片膜并在所述多个芯片的面向所述贴片膜的第二表面上形成第二绝缘层且露出所述导电凸点;
在所述多个芯片上布线且布线完成后切割以形成多个芯片产品。
2.根据权利要求1所述的芯片封装方法,其特征在于,将晶片贴附在贴片膜上之前,还包括:
将所述贴片膜贴附在环形封装模具上,其中,所述环形封装模具的形状为方环形或圆环形。
3.根据权利要求1所述的芯片封装方法,其特征在于,在晶片的电极上形成导电凸点的具体执行过程为:采用电镀工艺、化学镀工艺或引线键合工艺在所述晶片的电极上形成所述导电凸点。
4.根据权利要求1所述的芯片封装方法,其特征在于,拉伸所述贴片膜的具体执行过程为:
采用张膜机拉伸所述贴片膜以使所述贴片膜撑开,使贴附在所述贴片膜上的任意相邻两个所述芯片之间具有间隙。
5.根据权利要求1所述的芯片封装方法,其特征在于,任意相邻两个所述芯片之间的间隙大于或等于5微米且小于或等于5毫米。
6.根据权利要求1所述的芯片封装方法,其特征在于,在所述多个芯片的面向所述贴片膜的第二表面上形成第二绝缘层且露出所述导电凸点包括:
在所述多个芯片的第二表面上形成第二绝缘层,对所述第二绝缘层进行刻蚀处理并刻蚀至所述导电凸点的表面。
7.根据权利要求1所述的芯片封装方法,其特征在于,所述第一绝缘层和所述第二绝缘层均为感光树脂材料。
8.根据权利要求1所述的芯片封装方法,其特征在于,在所述多个芯片上布线包括:
在所述多个芯片的第二表面上形成第一保护层并在所述第一保护层中形成与所述导电凸点对应的第一过孔且所述第一过孔的底部延伸至所述导电凸点的表面;
在所述第一保护层上形成导电图案,所述导电图案通过所述第一过孔与所述导电凸点电连接;
在所述导电图案上形成第二保护层并在所述第二保护层中形成与所述导电凸点对应的第二过孔且所述第二过孔的底部延伸至所述导电图案的表面,在垂直于所述芯片的方向上,所述第二过孔的投影与对应的所述导电凸点的投影交叠;
在所述第二过孔中形成焊球,所述焊球通过所述第二过孔与所述导电图案电连接。
9.根据权利要求8所述的芯片封装方法,其特征在于,所述第一保护层和所述第二保护层均为感光树脂材料。
10.一种芯片,其特征在于,采用如权利要求1-9任一项所述的芯片封装方法进行封装,该芯片包括:
位于晶片的电极上的导电凸点,所述晶片贴附在贴片膜上且所述晶片包括多个芯片,其中,所述电极位于所述晶片的正面,所述晶片的正面与所述贴片膜贴合;
贴附在所述贴片膜上的任意相邻两个所述芯片之间具有间隙;
位于所述多个芯片的背离所述贴片膜的第一表面上的第一绝缘层,以及去除所述贴片膜后位于所述多个芯片的面向所述贴片膜的第二表面上的第二绝缘层,其中,所述第二绝缘层露出所述导电凸点;
位于所述多个芯片上的布线层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华进半导体封装先导技术研发中心有限公司,未经华进半导体封装先导技术研发中心有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611246746.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种采用印胶方式封装半导体的装置
- 下一篇:一种芯片及其封装方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造