[发明专利]一种半导体测量站点的抽样方法有效
| 申请号: | 201611220653.6 | 申请日: | 2016-12-26 |
| 公开(公告)号: | CN106653639B | 公开(公告)日: | 2019-09-03 |
| 发明(设计)人: | 潘鼎;曹兴旺;杨勇;庞晶晶 | 申请(专利权)人: | 华润微电子(重庆)有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
| 地址: | 401331 重庆*** | 国省代码: | 重庆;50 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 半导体 测量 站点 抽样 方法 | ||
本发明公开了一种半导体测量站点的抽样方法,属于半导体制造技术领域;该方法中,提供每个测量机台对应的测量计划并将每个测量机台切换成对应的测量计划,提供复数个抽样规则,还包括以下步骤:步骤S1,判断到达测量站点的在制品是否满足抽样规则:若否,则转向步骤S3;步骤S2,若干测量机台按照各测量机台对应的测量计划对在制品进行测量,在制品在测量结束后进入后续加工过程;步骤S3,在制品跳过测量站点,直接进入后续加工过程。上述技术方案的有益效果是:能够解决因各产品按照各自流水序列号下线导致的测量抽样率不平衡的问题,使得WIP的生产管理更加平衡,提升FAB机台的产能利用率,提升人员以及工程的处理效率。
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种半导体测量站点的抽样方法。
背景技术
在集成电路的生产制造中,每一个晶片从原料最终形成产品都需要经过成百乃至上千道工序,晶片所经过的所有工序组成了工艺流程。在晶片未完成最后一道工序的加工之前,都称为在制品(Work in Process,WIP)。工艺流程中的工序包括很多种类,例如,制造工序和量测工序。其中,量测工序的目的是通过量测和分析晶片的量测数据,检验生产制造的晶片是否符合要求,及监控晶片生产过程是否出现异常。
目前产品的下线模式一般有两种:
第一种是所有产品按照一个流水序列号下线。例如,产品按照流水序列号123……的方式顺序进入测量站点进行抽样测量,此时测量站点的抽样率是比较平衡的。
第二种是各产品按照各自流水序列号(Lot id/产品批号)下线。具有产品种类多、工艺流程复杂类似芯片制造等复杂性生产制造企业。例如存在客户ABC……,每个客户具有各自独特的流水序列号。由于各客户之间产品数量、种类和生产步骤等不同,导致在不同的客户之间进行抽样测量的抽样率不平衡,从而导致同一机台的在制品不平衡,FAB机台产能利用不充分,进而影响了人员以及工程的处理效率。
发明内容
根据现有技术中存在的上述问题,现提供一种半导体测量站点的抽样方法,旨在解决因各产品按照各自流水序列号下线导致的测量抽样率不平衡的问题,使得WIP的生产管理更加平衡,提升FAB机台的产能利用率,提升人员以及工程的处理效率。
上述技术方案具体包括:
一种半导体测量站点的抽样方法,应用于利用所述测量站点对在制品进行测量的系统中,所述测量站点中包括若干测量机台,其中,
提供每个所述测量机台对应的测量计划并将每个所述测量机台切换成对应的所述测量计划;
提供复数个抽样规则,所述方法还包括以下步骤:
步骤S1,判断到达测量站点的在制品是否满足所述抽样规则:
若否,则转向所述步骤S3;
步骤S2,所述若干测量机台按照各所述测量机台对应的测量计划对所述在制品进行测量,所述在制品在测量结束后进入后续加工过程;
步骤S3,所述在制品跳过所述测量站点,直接进入所述后续加工过程。
优选的,该抽样方法,提供每个所述测量机台对应的测量计划并将每个所述测量机台切换成对应的所述测量计划的步骤包括:
步骤A1,根据在制品的生产计划预设多个产品组合结构数据库;
步骤A2,根据每个所述产品组合结构数据库分别计算得到每个所述测量机台的理论负载;
步骤A3,根据所有所述测量机台的所述理论负载的分布划分多个测量计划,每个所述测量计划分别对应于所述理论负载的一个连续的分布范围,以及每个所述测量计划分别包括需要测量的所述在制品的一个对应的数量值;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华润微电子(重庆)有限公司,未经华润微电子(重庆)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611220653.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:包装桶(喜宝水漆5)
- 下一篇:包装桶(一哥水性胶)
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





