[发明专利]一种半导体测量站点的抽样方法

权利要求书

1.一种半导体测量站点的抽样方法，应用于利用所述测量站点对在制品进行测量的系统中，所述测量站点中包括若干测量机台，其特征在于，

提供每个所述测量机台对应的测量计划并将每个所述测量机台切换成对应的所述测量计划；

提供复数个抽样规则，所述方法还包括以下步骤：

步骤S1，判断到达测量站点的在制品是否满足所述抽样规则：

若否，则转向步骤S3；

步骤S2，所述若干测量机台按照各所述测量机台对应的测量计划对所述在制品进行测量，所述在制品在测量结束后进入后续加工过程；

步骤S3，所述在制品跳过所述测量站点，直接进入后续加工过程；

其中，所述抽样规则包括复数个第一类抽样规则，以及复数个第二类抽样规则；

则所述步骤S1具体包括：

步骤S11，判断所述在制品是否符合所述第一类抽样规则：

若否，则转向所述步骤S3；

步骤S12，判断所述在制品的序号是否包括在一个预设的序号范围内：

若否，则转向所述步骤S3；

步骤S13，判断所述在制品是否处于缺陷检查站点；

若否，则转向所述步骤S3；

步骤S14，判断所述在制品是否符合所述第二类抽样规则：

若是，则转向所述步骤S2；

若否，则转向所述步骤S3。

2.如权利要求1所述的抽样方法，其特征在于，提供每个所述测量机台对应的测量计划并将每个所述测量机台切换成对应的所述测量计划的步骤包括：

步骤A1，根据在制品的生产计划预设多个产品组合结构数据库；

步骤A2，根据每个所述产品组合结构数据库分别计算得到每个所述测量机台的理论负载；

步骤A3，根据所有所述测量机台的所述理论负载的分布划分多个测量计划，每个所述测量计划分别对应于所述理论负载的一个连续的分布范围，以及每个所述测量计划分别包括需要测量的所述在制品的一个对应的数量值；

步骤A4，将所述测量站点中的每个所述测量机台分别设定为一个初始的所述测量计划，并采用制造执行系统分别计算每个所述测量机台的实际负载；

步骤A5，根据每个所述测量机台的实际负载分别将每个所述测量机台切换成对应的所述测量计划。

3.如权利要求1所述的抽样方法，其特征在于，所述第一类抽样规则为于所述在制品生产流程中预设的关联于生产管理的抽样规则；

所述第二类抽样规则为于所述在制品生产流程中预设的关联于制造厂的抽样规则。

4.如权利要求1所述的抽样方法，其特征在于，预设复数个第一抽样跳过规则；

所述测量站点包括第一测量站点和第二测量站点

所述步骤S2具体包括：

步骤S21，判断所述在制品是否符合所述第一抽样跳过规则；

若否，则选择部分所述在制品跳过所述测量站点，并直接进入所述后续加工过程；

步骤S22，所述第一测量站点对所述在制品进行测量，并在测量结束后将所述在制品退出所述第一测量站点；

步骤S23，所述第二测量站点对所述在制品进行测量，并在测量结束后进入所述后续加工过程。

5.如权利要求4所述的抽样方法，其特征在于，所述步骤S22中，所述第一测量站点的测量方法具体包括：

步骤S221，所述在制品进入所述第一测量站点；

步骤S222，所述第一测量站点扫描所述在制品，以获取所述在制品的图样数据；

步骤S223，所述第一测量站点根据所述图样数据分别对每个所述在制品进行测量，并在测量完成后将所述在制品退出所述第一测量站点，随后转向所述步骤S23。

6.如权利要求4所述的抽样方法，其特征在于，所述步骤S23中，所述第二测量站点的测量方法具体包括：

步骤S231，所述在制品进入所述第二测量站点；

步骤S232，所述第二测量站点对所述在制品拍照，以获取所述在制品的图片数据；

步骤S233，所述第二测量站点根据所述图片数据分别对每个所述在制品进行测量，并在测量完成后将所述在制品退出所述第二测量站点，随后进入所述后续加工过程。

7.如权利要求4所述的抽样方法，其特征在于，预设复数个第二抽样跳过规则；

所述步骤S21中，若所述在制品不符合所述第一抽样跳过规则，则继续判断所述在制品是否符合所述第二抽样跳过规则：

若是，则选择部分所述在制品跳过所述测量站点，并直接进入所述后续加工过程；

若否，则转向所述步骤S22。