[发明专利]电容及其形成方法、图像传感器电路及其形成方法

权利要求书

1.一种电容的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括凹槽区和与凹槽区邻接的体区；

在凹槽区基底中形成第一凹槽结构和位于第一凹槽结构上的第二凹槽结构；

在第一凹槽结构中形成介质层和位于介质层表面的电极层，所述介质层位于第一凹槽结构的侧部表面和底部表面；

形成所述介质层和电极层后，形成填充满所述第二凹槽结构的隔离层；

所述第一凹槽结构包括多个第一凹槽、以及一个或者多个第二凹槽，所述第二凹槽沿着平行于基底顶部表面的方向分别贯穿第一凹槽；

形成所述第一凹槽结构和第二凹槽结构的方法包括：在所述凹槽区基底中形成初始凹槽结构，初始凹槽结构包括多个第一初始凹槽、以及一个或者多个第二初始凹槽，所述第二初始凹槽沿着平行于基底顶部表面的方向分别贯穿第一初始凹槽；形成所述初始凹槽结构后，在垂直于基底顶部表面的方向上去除部分凹槽区基底，形成所述第一凹槽结构和第二凹槽结构。

2.根据权利要求1所述的电容的形成方法，其特征在于，还包括：在形成所述初始凹槽结构之前，在所述基底上形成图形化的掩膜结构，所述图形化的掩膜结构覆盖体区基底且暴露出部分凹槽区基底；以所述图形化的掩膜结构为掩膜刻蚀所述凹槽区基底，形成所述初始凹槽结构。

3.根据权利要求2所述的电容的形成方法，其特征在于，所述图形化的掩膜结构包括位于体区基底和部分凹槽区基底上的第一掩膜层和位于第一掩膜层上的第二掩膜层。

4.根据权利要求3所述的电容的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜层的材料为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅；所述第二掩膜层的材料为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅，且所述第二掩膜层和材料和第一掩膜层的材料不同。

5.根据权利要求3所述的电容的形成方法，其特征在于，还包括：在去除部分凹槽区基底的过程中，去除凹槽区基底上的第一掩膜层和第二掩膜层、以及体区基底上的第二掩膜层；形成所述第一凹槽结构和第二凹槽结构后，体区基底顶部表面具有所述第一掩膜层；形成所述隔离层后，去除所述第一掩膜层。

6.根据权利要求5所述的电容的形成方法，其特征在于，形成所述隔离层的方法包括：在所述第二凹槽结构中、以及第一掩膜层上形成初始隔离层；去除第一掩膜层上的初始隔离层，形成隔离层。

7.根据权利要求1所述的电容的形成方法，其特征在于，所述隔离层的材料为氧化硅。

8.根据权利要求1所述的电容的形成方法，其特征在于，形成所述介质层和电极层的方法包括：在所述第一凹槽结构的底部表面和侧壁表面形成介质层；在所述基底和介质层上形成初始电极层，所述初始电极层位于所述第一凹槽结构和第二凹槽结构中；去除基底上以及第二凹槽结构中的初始电极层，形成电极层。

9.根据权利要求1所述的电容的形成方法，其特征在于，所述介质层的材料为氧化硅或氮化硅；所述电极层的材料为多晶硅。

10.根据权利要求1所述的电容的形成方法，其特征在于，还包括：形成贯穿所述隔离层的导电插塞，所述导电插塞与所述电极层连接。

11.一种图像传感器电路的形成方法，其特征在于，包括：形成电容，所述电容采用权利要求1至10任意一项所述的电容的形成方法形成。

12.根据权利要求11所述的图像传感器电路的形成方法，其特征在于，所述基底包括若干体区，相邻体区之间具有所述凹槽区；所述图像传感器电路的形成方法还包括：在所述体区基底上分别形成体器件，所述隔离层和介质层适于隔离相邻的体器件。