[发明专利]DRAM电容器的下部电极及其制造方法

权利要求书

1.一种DRAM电容器，其特征在于：

包含电介体膜和由TiN系材料构成的下部电极，

所述下部电极具备：

以成为所述下部电极的表面区域的方式设置在两个外侧的氧浓度相对低的第一TiON膜；和

设置在所述第一TiON膜的内侧的氧浓度相对高的第二TiON膜，

所述电介体膜形成在所述下部电极的表面。

2.如权利要求1所述的DRAM电容器，其特征在于：

具有在所述第二TiON膜的两个外侧形成有所述第一TiON膜的3层结构。

3.如权利要求1所述的DRAM电容器，其特征在于：

还具有设置在所述第二TiON膜的内侧的TiN膜，从而具有在所述TiN膜的两侧形成有所述第二TiON膜，并且在所述第二TiON膜的两侧形成有所述第一TiON膜的5层结构。

4.如权利要求1所述的DRAM电容器，其特征在于：

还具有设置在所述第二TiON膜的内侧的氧浓度比所述第二TiON膜低的第三TiON膜，从而具有在所述第三TiON膜的两侧形成有所述第二TiON膜，并且在所述第二TiON膜的两侧形成有所述第一TiON膜的5层结构。

5.如权利要求1～4中任一项所述的DRAM电容器，其特征在于：

在厚度方向具有对称的膜结构。

6.如权利要求1～4中任一项所述的DRAM电容器，其特征在于：

所述第一TiON膜的氧浓度为30～40at.％。

7.如权利要求1～4中任一项所述的DRAM电容器，其特征在于：

所述第一TiON膜的膜厚为0.5～5nm。

8.如权利要求1～4中任一项所述的DRAM电容器，其特征在于：

所述第二TiON膜的氧浓度高于40at.％。

9.如权利要求1～4中任一项所述的DRAM电容器，其特征在于：

所述第二TiON膜的膜厚为0.5～5nm。

10.一种DRAM电容器的下部电极的制造方法，其特征在于：

所述制造方法用于制造设置在DRAM电容器中的电介体膜的下层并且由TiN系材料构成的下部电极，所述制造方法包括：

将被处理基板收容在处理容器内，将所述处理容器内保持为减压状态，以规定的处理温度，将以下循环进行规定个循环，从而形成氧浓度相对低的第一TiON膜的工序，该循环为：将含有Ti的气体和氮化气体间隔对所述处理容器的清扫交替供给规定次数，形成单位氮化膜后，供给氧化剂对所述单位氮化膜进行氧化处理；

将以下循环进行规定个循环，从而在所述第一TiON膜之上，形成氧浓度相对高的第二TiON膜的工序，该循环为：将所述含有Ti的气体和所述氮化气体间隔对所述处理容器的清扫交替供给规定次数，形成单位氮化膜后，供给氧化剂对所述单位氮化膜进行氧化处理；以及

将被处理基板收容在处理容器内，将所述处理容器内保持为减压状态，以规定的处理温度，将以下循环进行规定个循环，从而作为最上层，形成第二层的所述第一TiON膜的工序，该循环为：将含有Ti的气体和氮化气体间隔对所述处理容器的清扫交替供给规定次数，形成单位氮化膜后，供给氧化剂对所述单位氮化膜进行氧化处理，

所述第一TiON膜和所述第二TiON膜的氧浓度，通过形成所述单位氮化膜时的所述含有Ti的气体和所述氮化气体的交替供给次数、对所述单位氮化膜进行氧化处理的时间以及所述氧化处理时的所述氧化剂的流量中的至少一项进行调整。