[发明专利]半导体器件

说明书

本发明涉及一种半导体器件。在半导体器件的性能方面实现了改进。所述半导体器件包括具有上面(第一面)、与所述上面相反的下面(第二面)以及位于所述上面与所述下面之间并且使半导体芯片被安装在其上方的多个侧面的金属板。所述金属板的一部分被从密封所述半导体芯片的密封体暴露。已暴露部分被金属膜覆盖。所述金属板的所述侧面包括被所述密封体覆盖的第一侧面以及被设置为与所述第一侧面相反并且从所述密封体暴露的侧面(第二侧面)。在所述金属板的所述上面与所述侧面之间，插入有相对于所述上面和所述侧面中的每一个倾斜并且被所述金属膜覆盖的倾斜面。

相关申请的交叉引用

包括说明书、附图以及摘要的于2015年12月21日提交的日本专利申请No.2015-248767的公开内容通过引用整体地结合在本文中。

技术领域

本发明涉及一种半导体器件，并且涉及例如一种具有在安装面处暴露的金属板的半导体器件。

背景技术

日本未审专利公开No.2010-267789(专利文献1)描述了一种半导体芯片被安装在金属基板上方并且金属基板的一部分被从密封体暴露的半导体器件。

另外，日本未审专利公开No.平成8(1996)-274231(专利文献2)描述了一种上方安装有半导体芯片的管芯(die)焊盘的边缘部分被设置有倒角部分的半导体器件。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本未审专利公开No.2010-267789

[专利文献2]日本未审专利公开No.平成8(1996)-274231

发明内容

在安装在金属板上方的半导体芯片被用树脂密封的半导体器件中，存在金属板的一部分被从密封体暴露的结构。在上述半导体器件中，为了改进当半导体器件被安装在安装衬底(母板)上方时使用的焊接材料的可沾性，例如，覆盖从上述密封体暴露的上述金属板的已暴露面的金属膜被形成。然而，作为进行研究的结果，本发明人已经发现，当被称为晶须的金属晶体在上述金属膜的顶面上方生长时，在半导体器件的可靠性方面出现问题。

本发明的其它问题和新颖特征从本说明书和附图中的陈述将变得显而易见。

根据实施例的半导体器件包括第一面、与上述第一面相反的第二面以及位于第一面与第二面之间的多个侧面，并且包括上方安装有半导体芯片的金属板。上述金属板的一部分被从密封半导体芯片的密封体暴露。已暴露部分被金属膜覆盖。上述金属板的多个侧面包括被上述密封体覆盖的第一侧面以及设置为与上述第一侧面相反并且从上述密封体暴露的第二侧面。在上述金属板的上述第一面与上述第二侧面之间，插入有相对于上述第一侧面和上述第二侧面中的每一个倾斜并且被上述金属膜覆盖的第一倾斜面。

根据上述实施例，能够改进半导体器件的性能。

附图说明

图1是示意性地示出包括在实施例中的半导体器件中的电路的示例的说明性视图；

图2是示出图1中所示出的场效应晶体管的元件结构的示例的主要部分横截面视图；

图3是图1中所示出的半导体器件的顶视图；

图4是图3中所示出的半导体器件的底视图；

图5是示出在图3中所示出的密封体被去除的状态下的半导体器件的内部结构的透视平面图；

图6是沿着图3中的线A-A的横截面视图；

图7是在半导体器件被安装的情况下使图3至图6中所示出的半导体器件被安装在其中的电子器件的部分的外围的放大横截面视图；

图8是图7中所示出的部分A的放大横截面视图；