[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一金属板，所述第一金属板具有第一面、与所述第一面相反的第二面、以及位于所述第一面与所述第二面之间的多个侧面；

半导体芯片，所述半导体芯片被安装在所述第一金属板的所述第一面上方；

多条引线，所述多条引线被电耦合到所述半导体芯片；

密封体，所述密封体密封整个所述半导体芯片、所述引线中的每一条的一部分、以及所述第一金属板的一部分；以及

第一金属膜，所述第一金属膜覆盖所述第一金属板中的从所述密封体暴露的一部分，

其中，所述第一金属板的所述侧面包括：

第一侧面，所述第一侧面被设置成在平面图中面向所述引线中的每一条，并且被密封在所述密封体中；以及

第二侧面，所述第二侧面被设置为与所述第一侧面相反、从所述密封体暴露、并且被所述第一金属膜覆盖，并且

其中，在所述第一金属板的所述第一面中的从所述密封体暴露并且被所述第一金属膜覆盖的第一暴露部分与所述第二侧面之间，插入有相对于所述第一面和所述第二侧面中的每一个面倾斜的并且被所述第一金属膜覆盖的第一倾斜面。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第一金属板的所述第二侧面延续到被所述第一金属膜覆盖的所述第二面。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，

其中，所述第一金属膜中的覆盖所述第一倾斜面的第一部分的厚度小于所述第一金属膜的第二部分的厚度，该第二部分覆盖所述第一金属板中的所述第二侧面和所述第二面彼此交叉的部分。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，在从所述第一金属板的所述第一面和所述第二面中的一个面朝向其另一个面延伸的第一方向上，在所述第一倾斜面和所述第一面彼此交叉的第一边与所述第一倾斜面和所述第二侧面彼此交叉的第二边之间的第一高度大于彼此分离的所述第一面与所述第二面之间的距离的10％。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，在从所述第一金属板的所述第一面和所述第二面中的一个面朝向其另一个面延伸的第一方向上，在所述第一倾斜面和所述第一面彼此交叉的第一边与所述第一倾斜面和所述第二侧面彼此交叉的第二边之间的第一高度不小于彼此分离的所述第一面与所述第二面之间的距离的1/4。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第一金属板的所述侧面包括：

第三侧面，所述第三侧面延续到所述第二侧面和所述第一倾斜面中的每一个面的一个端部；以及

第四侧面，所述第四侧面延续到所述第二侧面和所述第一倾斜面中的每一个面的另一端部，并且

其中，所述第三侧面和所述第四侧面中的每一个侧面延续到所述第一金属板的所述第一面并且从所述密封体和所述第一金属膜中的每一个暴露。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，

其中，所述第一金属板的所述侧面包括：

第五侧面，所述第五侧面延续到所述第三侧面的端部并且延续到所述第一面，并且从所述密封体暴露；以及

第六侧面，所述第六侧面延续到所述第四侧面的端部并且延续到所述第一面，并且从所述密封体暴露，并且

其中，所述第五侧面和所述第六侧面中的每一个侧面在平面图中位于所述第一侧面与所述第二侧面之间，并且被所述第一金属膜覆盖。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第一金属板的厚度大于所述引线中的每一条的厚度。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第一金属膜包含锡和铋。